半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 崔艳霞 李国辉 王文艳 翟爱平 邱开放 郝玉英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  249-254
    摘要:
  • 作者: 乔东海 白春风 郭安强 齐敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  255-262,273
    摘要: 介绍了一种基于电容共享结构的两级两阶级联型(MASH 2-2)一位量化、离散时间、低通∑-Δ调制器.∑-Δ调制器采用对寄生电容不敏感的开关电容积分器结构,根据采样电容和反馈电容的大小关系,灵...
  • 作者: 李丽 李宏军 王胜福 郭松林 钱丽勋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  263-267
    摘要: 基于异构集成技术,研制了一款各通道中心频率分别为1.5,1.8,1.9和2.0 GHz的四通道高性能开关滤波器组芯片.使用了金锡凸点焊接的组装工艺,与键合线工艺相比,其互连强度更高,寄生参数...
  • 作者: 孔祥胜 廖文生 朱大成 王增双 高晓强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  268-273
    摘要: 设计了一款低相位噪声的锁相环(PLL),该PLL主要由可编程分频器、鉴相器和锁定指示电路等组成,通过外接参考时钟、有源环路滤波器和压控振荡器(VCO)构成完整的PLL频率源.研究了PLL频率...
  • 作者: 张林 徐小波 王晓艳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  274-279,322
    摘要: 超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角...
  • 作者: 兰飞飞 刘海萍 孙小婷 杨瑞霞 滕世豹 田树盛 陈春梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  280-286,311
    摘要: 利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜.优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明...
  • 作者: 兰天平 周春锋 宋禹 边义午 马麟丰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  287-292,303
    摘要: 4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔.但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)...
  • 作者: 吴昊 孙跃 康玄武 张静 杨兵 赵志波 郑英奎 魏珂
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  293-297,311
    摘要: 针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(X...
  • 作者: 崔军蕊 潘国峰 王辰伟 黄超 齐嘉城
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  298-303
    摘要: 化学机械平坦化(CMP)过程中极易在铜表面产生碟形坑、腐蚀坑等缺陷.为了解决这些问题,提出了将苯并异噻唑啉酮(BIT)作为CMP抛光液中的表面抑制剂,研究不同质量分数的BIT在Cu CMP过...
  • 作者: 严子雯 严群 吴朝兴 孙捷 李典伦 林金堂 阮璐 陈桂雄
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  304-311
    摘要: 采用化学液相沉积(CLD)法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃和硅基板表面制备了大面积的氧化铝(Al2O3)薄膜,并以非腐蚀的方式在硅片表面使用CLD法直接生长图案化Al2O3薄膜.Al2O3薄膜...
  • 作者: 孙晓凯 张福庆 田凤美 胡明强 靳迎松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  312-316
    摘要: 基于钝化发射极和背面接触(PERC)太阳电池工艺,对选择性发射极晶体硅双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化进行了研究.采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,制备了背面为AlOx...
  • 作者: 周昊 蔡小五 赵永 郝峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  317-322
    摘要: 高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理.对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的...
  • 作者: 张宇 蔡小五
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  323-328
    摘要: 集成电路特征尺寸的逐渐缩小带来了日益严峻的Cu互连线电迁移可靠性问题.为了改善40 nm和55 nm制程下Cu互连线的抗电迁移能力,基于加速寿命试验与失效分析的方法,研究了蓄水池结构对Cu互...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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