单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型

• 作者: 张林 徐小波 王晓艳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄体和隐埋氧化层(UTBB) 有限势阱高度 电子能谷占有率 应变 解析模型
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 274-279,322
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.04.005

摘要

超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角形势阱近似的器件建模方法已不再适用,必须重新建立基于矩形势阱近似的器件模型.基于有限高度的矩形势阱近似模型求解沟道薛定谔方程,建立了单轴应变硅UTBBNMOSFET电子能谷占有率解析模型.结果 表明,应变对UTBB NMOSFET电子能谷占有率影响较大;UTBB NMOSFET电子能谷占有率随沟道载流子浓度的变化趋势与常规NMOSFET器件不同;随着器件沟道硅膜厚度的增加,无限高度的矩形势阱近似计算误差较大.所建解析模型能直接用于硅基应变UTBB MOSFET迁移率、电流等参数计算,为器件及电路设计人员提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林	长安大学电子与控制工程学院	36	203	8.0	13.0
2	徐小波	长安大学电子与控制工程学院	5	7	2.0	2.0
3	王晓艳	长安大学电子与控制工程学院	8	12	2.0	3.0