BIT作为缓蚀剂在铜互连阻挡层CMP的应用

• 作者: 崔军蕊 潘国峰 王辰伟 黄超 齐嘉城
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化(CMP) 铜(Cu) 苯并异噻唑啉酮(BIT) 缓蚀剂 碟形坑
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 298-303
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.04.009

摘要

化学机械平坦化(CMP)过程中极易在铜表面产生碟形坑、腐蚀坑等缺陷.为了解决这些问题,提出了将苯并异噻唑啉酮(BIT)作为CMP抛光液中的表面抑制剂,研究不同质量分数的BIT在Cu CMP过程对Cu的去除速率、SiO2介质对Cu的选择性及抛光后表面形貌的影响.研究结果表明,随着BIT质量分数的增加,SiO2的去除速率基本不变,Cu的去除速率由31.6 nm·min-1降到21.0 nm·min-1,碟形坑深度由110 nm降到40 nm,腐蚀坑深度由85 nm降到35 nm.扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,Cu表面低缺陷,无明显有机物沾污.傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试结果表明,BIT能够吸附在Cu表面,生成一层钝化膜,从而抑制了Cu的腐蚀,降低Cu的抛光速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘国峰	河北工业大学电子信息工程学院	70	462	10.0	18.0
3	黄超	河北工业大学电子信息工程学院	50	290	8.0	16.0
5	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
9	齐嘉城	河北工业大学电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0
17	崔军蕊	河北工业大学电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0