退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流

• 作者: 吴昊 孙跃 康玄武 张静 杨兵 赵志波 郑英奎 魏珂
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 台面区域 隔离电流 退火处理 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 293-297,311
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.04.008

摘要

针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试.测试结果表明,在氧气和氮气氛围退火处理均能降低样品的隔离电流,且经退火处理后样品的隔离电流均处于10-9 A/mm数量级,但在氧气氛围中退火处理会使样品的欧姆接触电阻增大.在氮气氛围下的最佳退火处理条件为400℃、120 s.在该条件下样品经过退火处理后,在200 V直流偏压下测得样品的台面隔离电流仅为4.03×10-9 A/mm,与未经退火处理的样品相比降低了4个数量级,而且在高温测试中样品的隔离电流仍然能够保持较低的数值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏珂		24	134	5.0	10.0
2	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
3	杨兵	北方工业大学信息学院	20	30	3.0	4.0
4	吴昊	北方工业大学信息学院	38	91	6.0	9.0
6	张静	北方工业大学信息学院	15	15	2.0	3.0
7	康玄武	中国科学院微电子研究所	3	0	0.0	0.0
8	孙跃	中国科学院微电子研究所	6	12	2.0	3.0
9	赵志波	北方工业大学信息学院	2	0	0.0	0.0