半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 冯平 尹家宇 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  1-8,18
    摘要: 在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM).首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介...
  • 作者: 孟鹤立 邓二平 常桂钦 黄永章
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  9-18
    摘要: 栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用.为此,搭建了能够同时监测阈值电压和栅极漏电流的高温栅偏(HTGB)试验平台...
  • 作者: 冯俊波 李智慧 梁宇鑫 杨忠华 赵恒 崔乃迪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  19-24
    摘要: 氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势.基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板...
  • 作者: 袁晓冬 葛雪峰 史明明 任政燚 王志强 王宁会
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  25-32
    摘要: 结温预测对于功率器件的可靠性分析具有重要意义,基于此,提出了一种基于电热耦合模型的功率器件结温预测方法.首先通过Twin Builder软件建立了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的行为模型,通过...
  • 作者: 赵恒 何来胜 杨伟 葛邦同 何金城
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  33-36
    摘要: 硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破.提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封...
  • 作者: 冯子璇 崔浩祥 杨程辉 孙晓琴 牛新环
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  37-41,76
    摘要: 钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、...
  • 作者: 林源为 赵晋荣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  42-45,64
    摘要: 由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅...
  • 作者: 汤莉娟 周广伟 施海铭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  46-49
    摘要: 在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生....
  • 作者: 尹湘坤 王凤娟 刘景亭
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  50-54
    摘要: 基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使...
  • 作者: 袁丹丹 张志浩 张艺 殷锐昊 章国豪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  55-59
    摘要: 基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片.为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变...
  • 作者: 田爱华 邢东 赵向阳 蒋长宏 刘波 冯志红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  60-64
    摘要: 针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究.通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更...
  • 作者: 王宇龙 王明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  65-69
    摘要: 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素.测试并量化了其在...
  • 作者: 彭程 李学宝 杨艺烜 姚兆民 王克胜 赵志斌 代安琪 唐新灵 崔翔
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  70-76
    摘要: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一.现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年1期
    页码:  77
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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