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半导体学报(英文版)2000年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带.报道了用UHV/CVD生长的掺碳达2.2％的锗硅碳合金，获得了良好的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 随着IP信息业务的指数增长，包括以密集波分复用(DWDM)为基础的光传输、光交换甚至包括光接入的所谓全光网(AON)将是未来信息网络的核心和发展的必然趋势.高性能的光电子器件和它们的集成化是...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 采用改进的Huybrechts线性组合算符和变分方法，研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响，得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律.对Cd...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 铒离子在硅中呈现弱施主特性，O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级.氧杂质与铒离子形成复合体，其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道.提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型，建立了发光动...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 以苯硫酚为有机配体合成了半导体镉硫蔟合物(Me4N)2[Cd4(SPh)10]、(Me4N)4[Cd10S4(SPh)16]、(Me4N)8[Cd20S13(SPh)22]和Cd32S14(...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 以Si2H6和GeH4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Sil-xGex合金材料和Si1-xGex/Si多量子阱结构.用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜，在H2SO4水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程.硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO2成本低，省时.氧化硅膜的厚度，表面粗糙度和组分这三个参数，对波导器件的性能有重要影响，扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到：氧化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 应用快速热退火的方法将GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到8～14μm大气窗口内.通过测量单元器件的光电流谱、响应率和I-V特性，分析了快速热退火对GaA...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 基于MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量△Ids/Idso、Isub等实测数据的拟合处理，发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 用二维MEDICI商用器件模拟软件对双MOS门极控制的发射极开关晶闸管EST(Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区FBSOA(Forward Biased...
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14. MCT关断失效分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 模拟分析了MCT关断失效机理，并进行了实验验证.结果表明，器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中，从而造成MCT的关断失效.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟，分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算，通过迭代将分区计算结果连成模块的热场.在计算一个层次单元(芯片、基片或底座)的热场时，...
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16. 高速多级时钟网布线刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 提出了一种新的加载缓冲器的时钟布线算法.该算法根据时钟汇点的分布情况，在时钟布线之前对缓冲器进行预先布局，并将时钟树的拓扑生成及实体嵌入和层次式的缓冲器布局方法有机结合起来，使布线情况充分反...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在超大规模集成电路的电源和地线网络的设计中，求解由该网络上每个节点的电压和每条边上的电流是最基本的运算，它对电源和地线网络拓扑结构设计和线宽优化算法的质量具有直接的影响.针对电源和地线网络的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 采用HFCVD技术，通过两步CVD生长法，以较低生长温度，在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体，热丝温度约为200...
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19. 掺杂nc-Si：H膜的电导特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 采用常规PECVD工艺，以高纯H2稀释的SiH4作为反应气体源，以PH3作为P原子的掺杂剂，在P型(100)单晶硅(c-Si)衬底上，成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc-Si(P)：H)膜.通...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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