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半导体学报(英文版)2006年第12期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 介绍了不同截面大小的SOI(silicon-on-insulator)波导单模条件,详细描述了几种降低传输损耗,消除偏振相关,提高耦合效率的技术手段.分析比较了一种带有MOS(metal-o...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 报道了一种用于卫星通讯系统,基于0.5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器.采用集总参数元件来缩小电路面积进而在整个芯片内完成阻抗匹配.在50Ω端口测试条件下,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 根据光接收机前端等效电路模型,建立了噪声系数与等效输入噪声电流谱密度的关系.提出通过测量光接收机前端电路噪声系数间接获得等效输入噪声电流谱密度的方法.155Mb/s高阻结构光接收机前置放大器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率.模拟显示,调制电压和调制长度乘积为VπLπ=2.4V·...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 用有效质量包络函数理论研究了CdSe量子棒的线偏振光学性质,考虑了形状和磁场的影响.发现CdSe量子球具有负的线偏振因子(xy-平面内的线偏振发射),而小半径长量子棒具有正的线偏振因子(z-...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 设计了一种低电压低功耗高增益端到端运算放大器.为了提高运放的直流增益,采用了复制运放增益增强技术,这种技术的特点是在提高增益的同时不影响输出摆幅,非常适合低电压场合.该运放采用0.18μm标...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 设计了应用于GMSK调制,工作在2.4GHz,CMOS全差分的∑-△频率综合器.调制器中采用预补偿的分数N锁相环.推导了Ⅱ型三阶锁相环的传输函数,并指出影响环路传输函数的重要参数.介绍了校准...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 提出了一种适用于主板电压调整模块(VRM)数字控制芯片的新结构ADC--延迟环ADC的设计和实现方法.运用延时环(或称环路压控振荡器)的电压-频率转换原理实现对电压信号的模数转换,提高了线性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获...
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13. 钛基多孔氧化锡纳米结构的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 研究了采用电沉积和阳极氧化方法在钛基上制备多孔氧化锡纳米结构的技术.在3mm厚的钛片上,采用电沉积的方法首先预沉积镍层,然后沉积1μm厚高纯度锡膜作为阳极浸入0.5mol/L草酸溶液中,在直...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 提出了中心抽头差分电感的中心抽头等效模型,对其差分应用时的单端和差分阻抗进行推导,利用两端口S参数测试提取出等效电阻值、等效电感值和品质因数.在0.35μm 1P4M射频工艺上设计并实现一个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 采用保角变换方法推导出扇形霍尔板的几何修正因子,并根据几何修正因子得到扇形分裂漏场效应晶体管相对灵敏度的解析表达式.通过计算机模拟和实验测试结果的验证,进一步完善了扇形磁敏分裂漏场效应管相对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 介绍了基于LiNbO3电光强度调制器的40GHz宽带调制光源的设计.对其中的关键技术,如直流激光器稳态工作、调制器输出功率稳定性、频率响应预失真补偿以及整体设计等逐一加以分析,并提出解决方案...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 采用TSMC公司的标准0.25μm CMOS工艺,设计并实现了一个全集成的1.244GHz低功耗锁相环,提出了一种锁相环相位噪声的行为级模拟方法.锁相环的核心功耗仅为12mW,输出时钟信号均...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 在分析锁相环中参考杂散产生原因的基础上,提出了在不影响其他主要指标的前提下,采用提高电荷泵Up/Down电流匹配,减少电荷注入和时钟馈通问题;匹配PFD的Up/Down支路的对称性;加强电路...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 提出一种新的低功耗开关电容电路设计方法.新的电路结构充分利用开关电容电路的工作特点,同时采用ACP交流电源对电路进行供电.当电路工作在采样相位阶段时,关闭OTA放大器电源以达到降低电路功耗的...
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27. 一种高精度带隙电压基准源改进设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年12期页码:摘要： 在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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