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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 提出一种基于"时间借用"方法的相位切换型多模高速分频器,新型的相位切换控制策略有效地减少相位切换控制环路的延时,使得多模分频器在较低的电源电压下仍能在较高的输入频率下工作,同时获得最大可分频...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要： 在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42"数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容(B...
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154. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年4期页码:摘要：
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155. 无飘移电迁移理论(扩散产生复合俘获理论)刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 电迁移是在高电流密度下金属导体中原子输运,它在导体中产生空位,增加导体的电阻.Huntington于1961年描述电迁移;Black于1969年推导经验电阻公式用以模拟电迁移,给出电阻和失效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密度的氧沉淀;而...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz～...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种高速低功耗的低压差分接口电路,它可以应用于CPU,LCD,FPGA等需要高速接口的芯片中.在发送端,一个稳定的参考电压和共模反馈电路被应用于低压差分电路中,它使得发送端能够克服电源...
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160. 抛物量子阱中的束缚极化子:分维变分方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 采用分维变分方法讨论了有限深抛物量子阱中束缚极化子的束缚能,得到了束缚能随阱宽的变化关系,并给出了声子对束缚能的贡献随阱宽的变化曲线.数值计算的结果表明,束缚极化子的束缚能随阱宽的增大存在一...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 研究了温度对Holstein分子晶体模型能带结构的影响,结果表明固体的能带宽度和禁带宽度都与电子和热声子相互作用以及热膨胀密切相关.对一维Li原子品格链,在所选定的参数下,1s和2s的能带宽...
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162. 生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构特性的测试结果分析表明:随硅烷浓度的增加,材料的光敏性先...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的...
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165. 应变硅电子迁移率解析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及<100>/<110>方向单轴应力,沟道方向为<100>/<110...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.由于...
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167. 高栅压电子注入损伤对产生电流的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 基于中国科学院微电子研究所的GaAs PIN二极管工艺,研究了一种单片单刀单掷开关.为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了GaAs PIN二极管的小信号模型.在5.5～7.5GHz的频段内,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 禁止光学空间周期"Forbidden Pitch"是光学临近效应修正(OPC)中必须要面对并解决的问题之一.它主要出现在1.1～1.4倍(曝光波长/数值孔径)的范围内.由于在此范围内宅间图像...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得(Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/SiGe量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论...
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172. 单片集成探测器和电吸收调制器光逻辑门刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 通过在InP基上单片集成光探测器和调制器,制作了三端光逻辑门.在不同的负载电阻下,器件显示了良好的"与"门功能.对芯片进行了622MHz的动态测试;在950Ω负载条件下,只需要约7mw的控制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种可应用于高速光通信和光互连的新型高带宽、高灵敏度差分光接收机.其中,高带宽和高灵敏度分别通过输入负载平衡的全差分跨阻前置放大器和将入射光信号转换成一对差分光生电流信号的两个光电探测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技...
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175. 用于分数频率综合器的改进型电荷平均电荷泵刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 介绍了一种改进型的电荷平均电荷泵以及相应的电路实现.文章在对Yido Koo首先提出的电荷平均电荷泵结构分析的基础上提出了改进型的实现方式.相比于原结构,这种新型电路能够节省1/3的功耗并且...
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176. 力平衡MEMS加速度计的系统级建模与仿真刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 利用两种不同方法完成力平衡加速度计的系统级仿真.系统级模型参数在已完成的硅基力平衡MEMS加速度计结构上提取,数学模犁和仿真分别采用VHDL-AMS和SIMULINK TM来实现.对仿真结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 针对自举开关中的寄生效应和导通电阻的非线性问题提出了一种新的低压低电阻的自举开关.同时利用增益增强技术设计高直流增益和高单位增益带宽的运放,从而保证采样保持电路和子级电路的性能.基于以上技术...
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178. 时钟数据恢复电路中相位插值器的分析和设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 分析了应用于时钟恢复电路中的相位插值器.为相位插值器建立了数学模型并基于模型对相位插值器在数学域进行了详细的分析.分析结果表明相位插值器输出时钟的相位和幅度强烈地依赖于插值器输入时钟间的相位...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-siC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物...
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180. 应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年5期页码:摘要： 利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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