底栅和顶栅结构全透明氧化锌薄膜晶体管的制备

• 作者: 侯洵 张伟风 张新安 张景文 毕臻 王东 边旭明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 薄膜晶体管 结构 界面
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 859-862
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.010

摘要

报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新安	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	14	56	6.0	6.0
3	张伟风	河南大学物理与电子学院	66	248	8.0	10.0
4	侯洵	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	46	244	9.0	13.0
5	王东	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	25	127	8.0	10.0
6	张景文	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	20	109	7.0	9.0
9	毕臻	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	4	33	3.0	4.0
10	边旭明	西安交通大学信息光子技术省重点实验室	2	6	1.0	2.0