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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
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总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
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3006
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  • 1. 未来集成电路封测技术趋势和中国封测业发展
    作者： 周峥
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  1-5
    摘要： 介绍了全球集成电路封装测试业的发展历程、发展现状、行业竞争格局和技术发展趋势,并重点分析中国封装测试业的发展现状以及面临的机遇和挑战.研究结果表明,中国封装测试业整体呈稳步增长态势,本土集成...
  • 2. 小节距高可靠CQFN型陶瓷封装外壳工艺技术
    作者： 余咏梅
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  6-9,27
    摘要： 介绍了小节距高可靠CQFN型陶瓷封装外壳产品结构设计和关键工艺技术研究内容.就设计的新颖性和如何解决0.50 mm小节距陶瓷外壳产品的冲孔、注浆、0.10 mm细线条金属化印刷、焊盘凸台钎焊...
  • 3. 晶圆级传输线脉冲测试方法
    作者： 姜汝栋 邹巧云
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  10-13
    摘要： 随着晶圆测试技术的发展,晶圆级传输线脉冲(TLP)测试逐渐由封装级向晶圆级转移,晶圆级TLP测试的出现不仅降低了设计成本,同时大大缩短了ESD保护结构的评价周期.针对晶圆级TLP测试方法尚无...
  • 4. 采用磁性基板的高感值PCB平面电感器设计
    作者： 刘燕春 孟真 赵文英 阎跃鹏 黄冕
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  14-18,23
    摘要： 为增加PCB平面电感器单位面积上的电感值,提出一种采用磁性基板作为PCB叠层制作高感值PCB平面电感器的方法,并将磁性基板应用于两种典型的平面螺旋电感结构设计中.采用HFSS全波仿真方法对采...
  • 5. 基于AMBA总线的3DES算法IP核的设计与实现
    作者： 屈凌翔 张玲 王澧
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  19-23
    摘要： 基于AMBA2.0总线,设计并实现了一种使用3DES加密算法的IP核.该设计通过了行为级功能仿真和综合后的时序仿真,成功运用于一款32位浮点DSP芯片中,并且用TSMC 65 nmCMOS工...
  • 6. 基于0.18μm的无电阻无运放低功耗带隙基准源设计
    作者： 李燕霞 高博 龚敏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  24-27
    摘要： 设计了一种无电阻和运算放大器的带隙基准源来降低带隙基准源电路设计的复杂度.采用自偏置结构来避免设计启动电路和偏置电路,所有的MOS管都工作在亚阈值区域以实现低功耗设计,使得整个电路结构能在1...
  • 7. 基于82551的以太网测试与验证系统
    作者： 庞立鹏 张国贤 张荣 徐晓斌 罗晟
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  28-30,48
    摘要： 设计了一种基于网络接口芯片的以太网应用与验证系统,系统由硬件板卡、驱动、应用程序3部分组成.硬件板卡采用PCI接口与PC相连.驱动程序负责响应系统请求,配置硬件,读取硬件信息,实现底层数据收...
  • 8. 适用于10 Gbps以太网物理层收发器的变速箱电路设计
    作者： 罗旸 雷淑岚 黄安君
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  31-35
    摘要： 提出一种新的变速箱电路的设计方法.在不降低变速箱两边数据传输比特率的前提下,使用电路中固定时钟源产生两个基础时钟,再通过这两个基础时钟组合成变速箱的输入时钟和输出时钟.其中组合后的时钟周期是...
  • 9. 500 V LDMOS研制
    作者： 崔金洪 石金成
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  36-40
    摘要： 为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计.设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深N阱层光刻注入和推结深,...
  • 10. 电子浆料用玻璃的研究及发展趋势
    作者： 余守玉 傅仁利 张捷
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年1期
    页码:  41-48
    摘要： 随着微电子技术的快速发展,电子元器件日益向微型化、集成化以及高频化方向发展.电子浆料作为电子元器件的关键材料,发挥着越来越重要的作用.玻璃粘结剂是电子浆料的重要组成部分,在电子浆料中占据重要...
  • 11. 平行缝焊工艺对金属管壳玻璃绝缘子裂纹的影响
    作者： 侯育增 李寿胜 薛静静
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  1-4
    摘要： 随着当今微电子产品朝着高性能、超小型化、多功能的方向发展，器件功率增大，封装体的散热特性已成为选择合适的封装技术的一个重要因素。以金属为外壳的封装是一种高精度封装技术，具有优异的导电性能及电...
  • 12. 平行缝焊焊缝质量的评判
    作者： 肖汉武
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  5-11
    摘要： 平行缝焊是微电子单片集成电路及混合电路气密封装的一种关键密封工艺，其中焊缝质量的优劣对平行缝焊产品的密封质量、可靠性影响较大。虽然平行缝焊只是在盖板边缘进行局部加温，对外壳的整体升温比较低，...
  • 13. 变频共电串扰对PCM测试的影响
    作者： 李幸和 蒋大伟 陈培仓
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  12-15,18
    摘要： PCM即Parameter Control Monitor（参数监控）的简称，是半导体制程工艺必备的最后一道工序，主要作用是通过电学参数测试的分析对在线工艺及产品的质量进行监控，以发现一些潜...
  • 14. 内嵌于DDS高速DAC的动态参数测试
    作者： 张凯虹 王建超 陈真
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  16-18
    摘要： 对基于ATE和频谱仪的内嵌于DDS的高速DAC的动态参数进行测试实验，通过编程由ATE提供数字正弦波和时钟信号；通过频谱仪对DAC输出模拟信号采样，并通过VBT编程得到DAC的动态参数。最后...
  • 15. 一种基于串行通信接口的采样速率测试方法
    作者： 张继 杨萌兮 谢达
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  19-21,39
    摘要： 串行接口在工业控制领域得到广泛的应用，而且对串口的功能进行验证具有较为完善的测试设备和方法。另一方面，如何简化并快速进行串口模块的功能验证具有重要的意义。基于此观点，在研究了模块自身的功能特...
  • 16. 一种低功耗无运放的带隙基准电压源设计
    作者： 汤晔 邹勤丽
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  22-24,32
    摘要： 设计了一种新型无运放带隙基准源。该电路使用负反馈的方法，避免了运放的使用，从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压对基准源精度的影响，同时还提升了电源抑制比，且降低了功耗。该新型电路比传统...
  • 17. 一款高性能时钟驱动器电路的设计
    作者： 欧阳雪
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  25-28,48
    摘要： 时钟器件芯片可以实现通信网定时同步、时钟产生、时钟恢复和抖动滤除、频率合成和转换、时钟分发和驱动等功能。在系统设计中，选用好的时钟驱动芯片，可以省去系统时钟树设计，既节省空间，又提高系统性能...
  • 18. 一种USB电源开关的过流保护电路设计
    作者： 官洪运 管媛倩
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  29-32
    摘要： 一般USB电源开关发生过流时，由于忽略寄生电感使得电源开关可能由于过压而造成损坏。针对USB电源开关过流的情况，设计了一种USB电源开关的过流保护电路，分析了USB电源开关过流保护的工作原理...
  • 19. 新型高精度CMOS电流比较器
    作者： 程亮
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  33-35
    摘要： 分析了当前几种高性能CMOS电流比较器的优缺点，并设计了一种新颖的电流比较器电路。该电路由3部分组成，具有负反馈电阻的CMOS反相放大器、1组乙类推挽放大器和1组甲乙类推挽放大器。由于CMO...
  • 20. 平面型VDMOS源区的不同制作方法研究
    作者： 闻正锋 马万里
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  36-39
    摘要： 平面型VDMOS在制作源区时，常规做法是利用掩模板进行一次光刻，然后再进行源区注入。提出3种其他的制作方式，在保证器件电学性能的前提下，可节约一次光刻。诸如，通过刻蚀硅孔将源区与P型体区短接...
  • 21. 复合添加ZnO/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷性能的影响
    作者： 丁东 于轩 秦旺洋 贾路方 钱莹
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  40-43,48
    摘要： 讨论了复合添加ZnO/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)TiO4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明：ZnO/V2O5对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结有一定的促进作用，但Z...
  • 22. 功放芯片热分析及散热片结构优化
    作者： 盛重 陈晓青
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年2期
    页码:  44-48
    摘要： 通过红外热像仪测量GaAs功率放大器芯片的结温可知，温度最高点出现在芯片的栅条上，红外热像仪的放大倍数会导致芯片结温的差异性，正确选择测量的距离系数和放大倍数，可以提高红外热像仪的测温准确性...
  • 23. 平行缝焊工艺的热效应研究
    作者： 仝良玉 李宗亚 肖汉武 陈陶
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  1-4,17
    摘要： 平行缝焊作为一种高可靠性的气密性密封方法，在陶瓷封装行业中有着愈发重要的应用。封焊过程中瞬间产生的高能量在完成密封的同时，会对陶瓷外壳造成很高的热应力残留，可能会对器件可靠性产生影响。介绍了...
  • 24. 陶瓷封装中贴片胶溶剂扩散的研究
    作者： 葛秋玲 陈陶
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  5-8,34
    摘要： 在微电子行业中，使用贴片胶粘接是一种常见的贴片方法。但该贴片工艺很容易发生溶剂扩散现象，严重的时候甚至会影响后续的组装工艺，该问题在陶瓷外壳上表现得更显著。研究并详细说明溶剂扩散的产生原因和...
  • 25. PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源
    作者： 吴瑶 高博 龚敏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  9-13,17
    摘要： 提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论，采用无电阻温度补偿对温度进行高阶补偿,可以减小对工艺、电压、...
  • 26. 抗辐照标准单元库验证方法研究
    作者： 刘永灿 周晓彬 姚进 徐大为 胡永强 陈菊
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  14-17
    摘要： 对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例，研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路，对单元库进行验证，单元库功能和性能满足设计要求，抗辐射能力达到500 krad...
  • 27. 一种改进的RFID标签防碰撞算法
    作者： 张海鹏 李俊杰 王利丹 王彬 陈紫菱
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  18-21,48
    摘要： 在已有RFID标签防碰撞ALOHA算法基础上，提出了一种改进的带中断机制的动态帧时隙ALOHA（ⅡDFSA）算法，一方面通过优化设置系统效率临界因子和参考碰撞时空比，比较系统效率判断是否改变...
  • 28. 一种CORDIC算法优化及32位浮点反正切函数FPGA实现
    作者： 鲍宜鹏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  22-25
    摘要： 通过对反正切函数实现算法的研究，在传统CORDIC算法的基础上，提出了一种以超前进位加法器为基本单元的迭代结构，双时钟输入，完成了反正切函数的ASIC电路设计。该算法采用TSMC 55 nm...
  • 29. 一种滞回比较器设计
    作者： 乔明 朱江 薛腾飞
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  26-28,43
    摘要： 比较器广泛应用于模拟信号到数字信号的转换过程中，在模-数转换过程中，对输入进行采样后的信号通过比较器以决定模拟信号的数字量。滞回比较器也叫迟滞比较器，以其优越的抗噪声能力在比较器中占有重要地...
  • 30. 一种900 V超结VDMOSFET器件的设计与仿真
    作者： 杨永念
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  29-34
    摘要： 功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用，然而在高压功率MOSFET器件中，如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFE...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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