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电子器件2006年出版文献
出版文献量（篇）
5460
总下载数（次）
21
总被引数（次）
27643
电子器件
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本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。 本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子...
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主办单位：
东南大学
期刊荣誉：
江苏省二级期刊
获《CAJ-CD规范》执行优秀奖
ISSN：
1005-9490
CN：
32-1416/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210096
地址：
出版文献量（篇）
5460
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE(Reactive Ion Etching)金属前PECVD-TEOS预淀积保...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔.通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au).在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120 s合金时间...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 通过采用发射极-基极金属自对准、发射极镇流电阻,电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性,提高了器件热稳定性与功率特性.当器件工作在AB类,工作频率为4 GHz,集电极偏置电压为3.5 V时,尺...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 阐述了一种新型的In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As双沟道InP HEMT结构.采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率,减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 简介了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 目前,阴极发射体材料多存在逸出功大,可靠性及均匀性低,发射性能低、不能自动调节活性物质更替的速度等方面的问题.与之相比,六硼化镧既具有可恒定地维持一个活性阴极表面,同时具有高导电率和良好的热...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 介绍一种用于千兆以太网的1.25 Gb/s分接器电路.该电路实现了1路1.25 Gb/s高速差分数据到10路125 Mb/s低速并行单端数据的分接功能.电路采用树型分接器结构进行设计,包含一...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10 Gbit/s)光接收机前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路.提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器.采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺的BSIM3V3...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器(LNA),这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶体管的高线性度.应用优化的BiFET Cascod...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用SMIC 0.18 μm COMS混合工艺,针对无线通信系统中的信号接收机,设计了一个能够工作在40 MHz频带内的中频闭环可变增益放大器VGA,它包括可编程的输出电压和数字化的自动增益...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 一种适用于ASK接收器中的双极型对数中频放大器,具有接收信号强度指示的功能(RSSI).这种放大器实现了对数响应的分段近似,同时作为信号解调的一部分.本文介绍了RSSI特殊的具体电路及其结构...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 介绍了一种采用新型结构的应用于DSP处理器的多功能高速低功耗乘累加单元(MAC).该设计采用了异步互锁流水线技术,极大的降低了功耗.在整个设计的关键路径即部分积产生和生成部分采用的互补部分积...
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15. 场发射阵列阴极在行波管中的应用刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在:FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题.分析了产生这些问题的主要原因,提出了相应的解决方案,主要包括:提高真空度,选择合适...
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16. SM-PDP老炼系统设计刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 针对SM-PDP的实际老炼工艺需求和实测的各项工艺指标,设计了一套专用的老炼电路系统.该系统包括高压驱动电路,保护电路和控制电路.高压驱动电路中采用了能量复得维持驱动技术,大大减少系统的寄生...
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17. 碳纳米管场发射器件新型阴极的研究刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 碳纳米管场发射显示器件(CNT-FEDs)中阴极的制备和表面处理一直是其中的关键环节而备受关注,本文通过光刻技术、丝网印刷技术、表面超声等流程制作带有平整电阻层的发射阴极,并对该阴极进行场发...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 针对一种基于二次电子发射的跳跃电子阴极三极管结构进行了研究,这种特殊结构可以有效地提高了电子注电流密度,并减小受残余气体离子的对阴极轰击造成的阴极发射跌落.对应用碳纳米管场发射的跳跃电子阴极...
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19. 用两次键合技术制备均匀单晶硅膜刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 硅直接键合(SDB)技术用于制备SOI片(BESOI)是键合技术的最重要应用之一,研究了制备BESOI片中的键合和减薄问题,获得了大面积的均匀单晶硅膜,通过实验分析了这种方法获得的薄膜的平整...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 牺牲层厚度是MEMS表面工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义.目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长.本文介绍了一种新颖的MEMS表面工艺牺牲层厚度测试...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： MEMS并联开关是MEMS(微机电系统)的最重要的器件之一,由于其在高频状态下表现出的高隔离度及低插入损耗,以及与半导体开关相比所具有的极低的直流功耗,故在微波领域的应用越来越受到关注.本文...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 已有的微机械直接加热终端式微波功率传感器是基于CMOS工艺的,该结构基于GaAs MMIC工艺,它可以与GaAs微波电路实现单片集成. 它的基本工作原理是热电效应,制备中使用了GaAs体加工...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 基于SiGe HBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型.该模型从SiGe HBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载...
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24. 聚合物环形波导弯曲损耗的改进计算刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 在大部分集成光学器件中,都会用到弯曲波导,而如何控制波导弯曲产生的损耗,便成了影响这些光学器件性能的关键.应用有效折射率和传输矩阵法相结合,基于matlab平台,数值计算出聚合物PMMA环形...
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25. 硅基RF无源低通滤波器设计与实现刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 无源滤波器具有功耗小、面积小,噪声小的特点,优于传统的有源滤波器,而研制高品质因子的电感和电容是研制片上无源滤波器的一个难点.文中讨论了影响电感Q值提高的因素,并将结构参数优化应用于无源滤波...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 利用X-波段MEMS单刀单掷膜开关和成熟的微带线技术设计了一种X-波段MEMS单刀双掷膜开关,其模拟结果为:阈值电压为19 V左右,工作频率为8～12 GHz,在中心频率(10 GHz)处,...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 一种适用于二维CMOS风速计的集成控制电路,是采用恒温差的控制模式,能同时测量风速和风向.在简单介绍了该风速计的测量原理之后,主要介绍了恒温差控制电路的电路指标,方案选择,并给出了电路结构....
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 计算机显微图像尿沉渣分析仪,是运用图像处理技术和统计学习理论中支持向量机(SVM)技术,对尿沉渣的有形成分进行自动分类和识别,并从形态学方面对其进行了特征描述.在应用SVM分类方法的过程中,...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 由于臭氧(O3)的独特性质使得它在社会发展中的应用得到越来越多的重视,但是由于臭氧合成效率低,人们一直在寻求高效的臭氧合成方法和装置.在众多臭氧合成方法中,介质阻挡放电法因其结构简单、成本低...
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30. 影响集成电感性能的关键因素刊名： 电子器件发表期刊： 2006年1期页码:摘要： 片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件.高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标.衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素.文中实例为证...
电子器件基本信息
| 刊名 | 电子器件 | 主编 | 孙立涛 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 东南大学 | 主管单位 | 中华人民共和国教育部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1005-9490 | CN | 32-1416/TN |
| 邮编 | 210096 | 电子邮箱 | dzcg-bjb@seu.edu.cn |
| 电话 | 025-83794925 | 网址 | |
| 地址 | 南京市四牌楼2号 |
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