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电子器件2007年出版文献
出版文献量（篇）
5460
总下载数（次）
21
总被引数（次）
27643
电子器件
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本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。 本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子...
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主办单位：
东南大学
期刊荣誉：
江苏省二级期刊
获《CAJ-CD规范》执行优秀奖
ISSN：
1005-9490
CN：
32-1416/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210096
地址：
出版文献量（篇）
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种基于器件物理和结构参数并可直接应用于射频电路CAD工具的4H-SiC MESFET大信号解析模型.大信号模型基于4H-SiC MESFET的物理工作机理,源漏电流模型采用Mater...
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302. 用于SOC测试的一种有效的BIST方法刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 为了提高SOC芯片的可测性和可靠性,我们提出了一种SOC测试的BIST技术的实现方案.针对某所自行研制的数字模拟混合信号SOC芯片,我们使用了不同的可测性技术.比如对模拟模块使用改进的BIS...
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303. 采用二次曲线校正的CMOS带隙基准刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 利用MOS管饱和电流对于"过驱动电压"的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5 μ...
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304. 一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激...
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306. InP材料体系RTD的研制刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 报道了InP衬底AlAs /In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并...
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307. 微测辐射热计的优化设计刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 针对典型的50 μm×50 μm双层微桥结构的微测辐射热计单元的设计,分析了其红外吸收性能、热性能、力学支撑性能及相互间的折衷关系,指出微桥桥面的夹层结构的各层膜厚选取和桥腿宽度的选取是兼顾...
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308. 薄膜热扩散率测量方法刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 总结了测量薄膜热扩散率常用的方法和结构,给出了薄膜热扩散率测试的进展状况.热扩散率是材料重要的热特性参数,通过比较各种测试结构和测试方法,分析这些方法的优缺点,我们希望提出一种在线提取多晶硅...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 为研究高发热功率电子器件散热的机理,采用CFD技术对小空间内电子器件的散热状况进行了研究,模拟了以空气为冷却流体多种电子器件间距条件下小空间的温度场及速度场.以电子器件冷却后的温度水平、平均...
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310. MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： MEMS电容式传感器的迅速发展为后续集成化读出电路的设计提出了巨大挑战.系统地分析了制约微传感器高精度电容读出电路设计的主要因素,回顾了目前主要的几种读出电路结构,阐述了这些电路的基本原理,...
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312. 先进的Hf基高k栅介质研究进展刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的H...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 多处理器系统芯片设计的关键问题之一是微处理器之间的互连结构.在总线互连结构和开关互连结构之后,提出了基于多端口存储器的第3种互连结构.利用VHDL进行了多时钟多端口存储器设计,并利用EDA工...
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314. 开关电源PFC控制芯片电路和应用分析刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 中小功率单相有源功率因数补偿控制芯片中,UC3854最具代表性.主要分析了功率因数校正原理和常用的因数校正芯片UC3854内部结构电路,利用它设计出了一种高功率因数、高效率、低谐波、低噪声的...
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315. 3-D寄生电容的HOC-ADI提取方法刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算3-D寄生电容.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.
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316. SONOS非挥发性存储器件的研究进展刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONO...
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317. 一种高速蓝牙模块的设计与实现刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 蓝牙技术是一项新兴的短距离无线通信技术.而蓝牙芯片则是蓝牙技术的基础和关键.文章介绍了使用CSR公司推出的BlueCore4芯片设计的Class1蓝牙模块的特性、原理及其应用.
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 随着VLSI向深亚微米发展、集成电路密度不断提高,互连延迟成了加快器件速度的一个限制因素,由于互连延迟是由金属连线间的电阻及电容所产生的,因此萃取寄生参数的工作更显重要.文章使用GMRES方...
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320. 锁相环中的充电泵电路的研究刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 针对消除传统电荷泵电路存在的MOS开关的电荷注入效应,时钟馈通效应,电荷泄露和充放电电流失配等产生的锁相环的相位偏差问题,设计了两种新型的电荷泵电路.这两种电路的设计和仿真采用了0.6 μm...
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321. 嵌入式低压降线性稳压器设计与分析刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 以LDO内置在音频功率放大器等系统级芯片(SOC)中实现内部供电电源为目的,给出了一种简单的高精度、宽输入电压范围LDO线性稳压器,采用TSMC 0.6 μm BCD高压工艺实现.与传统方法...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 在某科研项目中,需要设计一个200通道的AD转换器.在系统设计方案论证的基础上,选择了基于FPGA和MCU的设计方案.根据对FPGA和MCU的所要完成的功能描述,给出了FPGA的内部电路设计...
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323. 一种新型的跟踪低通滤波器刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 介绍了一种新型的跟踪低通滤波器的原理及实现方法.该跟踪低通滤波器用八阶椭圆型开关电容滤波器MAX293构成低通滤波电路,输入信号的频率通过单片机的测量、修正、倍频处理后输出作为MAX293的...
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324. Ka波段单片低噪声放大器刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 利用0.25 μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级联结构.利用微带电路实现输入、输出和级间匹配...
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325. CMOS电压模式伪指数功能电路刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 根据函数(1+x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSM...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 本文介绍了一种周期、脉宽可由上位机实时调节的嵌入式脉冲发生器,用来作为声光调制器驱动器的TTL信号输入.设计中利用了单片机AT89C52控制功能灵活,能与上位机进行简单的串行通信的特点,结合...
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327. 内匹配型Ku波段8W功率器件刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35 μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当Vds=8 V,输入功率Pin=32 dBm时...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出一种混合Sigma-Delta级联调制器结构.结合传统和低失真结构的优点,包括4级:第一级采用二阶多位低失真结构,后面级联传统的一阶调制器.这种结构可以大大减小由于第一级调制器输入信号过...
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330. 一种极低门限的电压比较器设计刊名： 电子器件发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 针对单电源供电集成电路中高精度低门限电压比较器设计的难点,设计了一种具有极低门限的新型电压比较器,该比较器电路利用三极管发射结压差与热电压成正比例关系来设置比较器低门限阈值点,满足了许多需要...
电子器件基本信息
| 刊名 | 电子器件 | 主编 | 孙立涛 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 东南大学 | 主管单位 | 中华人民共和国教育部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1005-9490 | CN | 32-1416/TN |
| 邮编 | 210096 | 电子邮箱 | dzcg-bjb@seu.edu.cn |
| 电话 | 025-83794925 | 网址 | |
| 地址 | 南京市四牌楼2号 |
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