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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 提出了三种提高AlPO4-5晶体孔道中0.4 nm单壁碳纳米管(SWNTs)填充密度和质量的实验方案:(1)用含有更多碳原子的四丙基氢氧化胺替代三正丙胺作为SWNTs碳源;(2)在AlPO4...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 利用脉冲电化学沉积技术,以NiSO4·6H2O为电镀液在镀Cr硅基片上沉积低密度、直径在150 nm左右的Ni催化剂颗粒,在此基础上,采用乙炔、氨气作为气源,采用等离子体增强化学气相沉积(P...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 针对Pb(Sb, Nb)O3-Pb(Zr, Ti)O3压电陶瓷制备过程中谐振反谐振频率差值Δf出现的波动现象,利用配料递减称量法,研究了HfO2含量对Pb(Sb0.5Nb0.5)0.08Zr...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 采用固相反应法制备了新型(0.95-x)Bi1/2Na1/2TiO3-0.05BaTiO3-xBiFeO3(x = 0 ～0.09)系无铅压电陶瓷,研究了BiFeO3掺杂量对其晶体结构、介电...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 选取工业纯原料,采用熔融法制备了镁铝硅钛铈系微晶玻璃,研究其在不同晶化温度下的显微结构及微波介电性能.结果表明:随着晶化温度的提高,微晶玻璃的?r先增大后减小,在1 000 ℃时达到最大值;...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 以Zn(NO3)2·6H2O、NaOH为原料,在乙醇–水混合溶液体系中,采用直接沉淀法合成了ZnO纳米粒子.并借XRD分析研究了该ZnO纳米粒子的晶粒度及晶格畸变等相关结构参量.XRD和SE...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 以Fe2O3-CaO-SiO2-B2O3-P2O5系统为基础,采用基础玻璃析晶法制备铁磁性微晶玻璃热种子材料.通过XRD,确定了热处理样品中的主晶相为磁铁矿、硅灰石和赤铁矿;采用振动样品磁强...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 首先用sol-gel法制得Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)纳米粉料,然后用固相法制备NiCuZn/PZT铁氧体/陶瓷复合材料,研究了P2O5-Bi2O3复合...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 为了得到低B值(2 100 K)、高精度互换、均匀性好的NTC热敏电阻器,采用聚合络合法制备了Mn0.43Ni0.90CuFe0.67O4 NTC热敏材料的前驱体,在500 ℃进行热分解后获...
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10. 稀土相表面Sn晶须生长的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 研究了Sn-3.8Ag-0.7Cu-RE(RE为Ce、Er或Y)焊料在空气中室温与高温时效过程中稀土相CeSn3、ErSn3与YSn3表面Sn晶须的生长情况.结果表明,Sn晶须的开始生长时间...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 采用正交试验研究了微量RE和Al对Sn-9Zn无铅焊料电导率、硬度、润湿性及微观组织的影响,并与传统锡铅焊料进行了对比.Sn-9Zn焊料的电性能及力学性能优于传统锡铅焊料,但润湿性较差.添加...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 控制钎料合金射流形成均匀断裂是制备电子封装用微焊球的关键.采用计算流体动力学方法模拟、研究了干扰频率、喷射压强对液态Sn-58Bi钎料射流断裂及液滴下落过程的影响.结果表明,在同一喷射压强下...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 利用示差扫描量热仪在等温和动态条件下,对在三苯基膦催化作用下环氧树脂NC-3000L和酚醛树脂xy-lok体系的固化反应进行了研究.结果表明,在固化度低于80%时,体系的固化反应符合Kama...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 采用直流磁控溅射法制备了WO3薄膜,并在350～550 ℃时对薄膜进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构及气敏性能的影响.结果表明:退火前及350 ℃退火后的薄膜为非晶态,450 ℃和550...
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15. 钢基板厚膜环形电位器的研制刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 传统的陶瓷基板厚膜环形电位器不能承受高过载.选用不锈钢板作为基板材料,被覆绝缘介质,在其上印制厚膜电路,然后烧结,制作了钢基板厚膜环型电位器.该电位器经过温度循环、抗过载、机械强度和动态射击...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极.研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性.结果显示,溅射工作真空度小于0.5 Pa,氮气体积分数...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 以NaOH为活化剂、采用蔗糖水热法,制备超级电容器用高比表面积球形活性炭电极材料.采用标准N2吸附法、SEM和XRD对活性炭的结构进行表征,用恒流充放电测试其在1 mol/L Et4NBF4...
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18. 外延BiFeO3薄膜的温度特性刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 基于Landau-Devonshire 唯象理论,采用等效衬底晶格常数的方法,并拟合了磁刚度系数的温度函数,对多铁性外延BiFeO3薄膜的铁电性和磁性进行了研究.结果表明,70 nm厚薄膜的...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对Si(001)和氮化Si(001)表面单层Zn/Se原子结合的方式,模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式,从单层原子结合能、界面原子电子得失、共价结合成...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 针对塑封SOT(小外形晶体菅)器件的使用失效案例,从芯片设计角度出发,提出一种优化设计方法,该方法利用误差反向传播神经网络(BPNN),结合主成分分析(PCA)、遗传算法(GAs)及均匀设计...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 针对一般BP神经网络泛化能力差,在Bayesian正则化BP神经网络的基础上,运用加权检验、"表决网"等方法的思路训练网络,并通过主成分分析方法对输入数据进行降维,建立了磁粉制备工艺(淬速度...
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22. 电磁吸波材料研究进展刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 阐述了常见的吸波材料种类及其特点,吸波材料的研究现状,重点介绍了纳米铁氧体吸波材料及其制备方法.笔者采用柠檬酸盐sol-gel法制得了均匀包覆铁氧体的空心微珠为基的复合材料,其吸波性能良好....
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 综述了近10年来铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术的研究现状与发展趋势.重点评述了sol-gel法、水解沉积法、电化学沉积法及热处理手段等提高阳极箔比容的技术,对上述方法所制备阳极箔的氧化膜...
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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