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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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31. 一种输出电压可调带隙基准源设计刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 设计了一种输出电压可调的带隙基准源，其基于TSMC 0.18μm工艺，采用Cadence进行仿真验证。仿真结果显示，带隙基准源电压源在–25~+100℃内，温度系数为29×10–6/℃，电源...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 提出了一种适用于快速响应电源管理系统中的软启动电路。该电路利用运算放大器钳位反馈原理，实现了平稳无过冲的软启动切换。基于0.25μm BCD（双极型晶体管、互补型金属氧化物场效应管及高功率双...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于降压型DC-DC转换器的工作原理，从系统需要出发，提出一种高性能的误差放大器。该误差放大器的输入级采用偏置电流消除结构，避免其输入对基准电压产生影响；核心电路采用对称性的差分运放结构，引...
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36. 多层瓷介电容器绝缘特性RC的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 采用N-沟道MOS场效应晶体管搭建电路，测得了多层瓷介电容器通过本身绝缘电阻放电的时间常数τ，对比了Ni和Pd/Ag内电极多层瓷介电容器的绝缘特性RC（绝缘电阻乘以电容量）指标，分析了Ni内...
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37. 《铝电解电容器专辑（七）》刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析，并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析，得出了芯片的热通量变化图，在此基础上进行模拟并通过 ...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年1期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 超磁致伸缩材料（简称GMM）是制作低频换能器的理想功能材料。介绍了GMM的磁致伸缩机理及其本身特性；与传统磁致伸缩材料以及当前广泛应用在骨传导听觉装置上的电磁和压电材料进行了分析比较；综述了...
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41. 最新活动刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
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42. 电磁吸波材料的研究进展刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 阐述了吸波材料的吸波原理及分类，综述了近年来磁性金属微粉吸波材料、铁氧体吸波材料、陶瓷吸波材料、纳米吸波材料、手性吸波材料及导电高聚物吸波材料的特点及国内外研究进展，并指出今后吸波材料的研究...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用电子束蒸发、射频磁控溅射、等离子喷涂等方法，在镍基高温合金基底上制备 YSZ（质量分数12%Y2O3稳定的 ZrO2）、Al2O3复合薄膜结构绝缘层，并研究了复合薄膜结构绝缘层在室温到8...
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44. 《电子元件与材料》版权声明刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于包层薄膜折射率对微光纤中传输光能量分布的影响，进一步用模场分析仪观察碳纳米管薄膜微光纤在与二甲苯气体接触时，输出光的能量分布和倏逝场的变化。实验结果显示，未镀膜的微光纤暴露在一定浓度的二...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例，讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明，当...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 航空电子设备的发展和地面电磁波源的迅速增多对玻璃纤维增强环氧树脂（GFEP）机身结构飞机的运行安全构成了威胁，亟需提升此类机身结构的电磁屏蔽性能。介绍了电磁屏蔽效能的计算方法，提出了在GFE...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 高长径比银纳米线是全印制电子技术中的关键材料之一。采用紫外-可见分光光度法研究了银纳米线制备过程中的变化，用 XRD、SEM 研究了产物晶体结构及形貌，讨论了模板剂的用量及溶液 pH 值对纳...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用PECVD技术制备a-Si：H/a-Si：H叠层双结非晶硅电池，研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间，得到不同厚度比例的本征层(di1：...
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50. 下期要目刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
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51. 应用于导电墨水的铜胶体的研究刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 将自制的纳米铜粉作为导电墨水的导电填料，通过添加一定量的分散剂、表面活性剂等其他助剂，超声波粉碎后制得纳米铜导电墨水。结果表明：随着固含量的增加，超声波分散时间越长，墨水的黏度越大。但电导率...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 设计了一种工作于VHF频段的新型微机电谐振器，采用了一种以阵列方式降低谐振器动态电阻的方法，通过ANSYS有限元分析软件对谐振器进行模态分析。结果表明，与减小换能电容间隙和增大偏置电压相比，...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用横向变掺杂（Varied Lateral Doping, VLD）终端设计，通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端，并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系，最终在此基础上...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
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55. 高压功率VDMOS元胞的研制刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于Sentaurus TCAD仿真软件，在外延层参数与生产工艺确定的情况下，通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻，并通过对版图元胞面积的准确计算，设计了三款导通电阻目标值为2.4，3....
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56. 并联型忆阻器混沌电路设计刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 利用磁控忆阻器、电感和电容三个元件并联设计了一种新型忆阻器混沌电路。采用常规的动力学分析方法研究了系统的基本动力学特性，例如相图、平衡点稳定性分析、李雅普诺夫指数谱和分岔图。结果表明该系统产...
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57. 多传输零点的宽带带阻滤波器设计刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 提出了一种基于横向型信号干扰的新型多传输零点的宽带带阻滤波器。通过采用终端加载一段四分之一波长开路传输线枝节的弯折型反耦合线与两段对称的半波长传输线开路枝节相并联的方式，在滤波器的阻带内引入...
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58. 基于半圆异向波导的新型带通滤波器刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 根据异向传输线原理设计了一种半圆异向波导单元，基于该单元提出了一种新型带通滤波器。利用HFSS软件对级联的四阶单元进行仿真，研究了其不同结构参数对电磁波传输的影响。用八阶单元构成中心频率为2...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于OKI（冲电气工业株式会社）0.5μm BCD（Bipolar, CMOS and DMOS）工艺，设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式，将一个...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2015年2期页码:摘要：
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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