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微电子学2015年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 在考虑寄生电阻、寄生电容对热噪声影响的基础上,分析了流水线ADC的热噪声构成.从理论上推导了ADC热噪声表达式,得到流水线ADC热噪声计算结果和各部分热噪声的分布比例.通过对比计算结果和测试...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种16位600 MS/s电流舵D/A转换器.该D/A转换器为1.8 V/3.3 V双电源供电,采用并行输入、差分电流输出的四分段(5+4+3+4)电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于脉冲超宽带无线通信系统接收机的高增益低噪声放大器(LNA).该LNA工作在6～9 GHz频段,单端输入,差分输出,采用电容交叉耦合...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环∑-△调制器.为了降低∑-△调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术.采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm 1P6M标准CMOS工艺,设计了一种2.5 Gb/s LVDS接收器电路.仿真结果表明,所设计的LVDS电路参数符合LVDS标准,LVDS接收器的输出信号上升沿...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于65 nm CMOS标准工艺库,设计了一个工作频率在10 GHz的具有低相位噪声的CMOS电感电容型压控振荡器.该压控振荡器选用CMOS互补交叉耦合型电路结构,采用威尔逊型尾电流源负反馈...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了一种采用SMIC 65 nm CMOS LL工艺、工作在14 Gb/s的高速串行接口发送端电路.该电路主要由多路复用器、时钟分布电路和连续时间线性均衡器组成.低速复用器由数字电路构成,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 简要介绍了当前集成电路延迟调节的主流技术.针对工程应用,提出了一种分段式数控延迟线(DCDL)的设计方法,解决了延迟调节精度和调节范围之间的矛盾,具有面积小、线性度好和调节范围大等优点.基于...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于推挽式结构能提高运算放大器压摆率的特性,设计了一款静态电流低、内含推挽式AB类放大器的无电容型低压差线性稳压器(LDO).通过优化,改善了LDO的瞬态响应性能,与传统的LDO相比,所提出...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 针对传统电荷泵电荷共享引起的输出电压波动、充放电电流失配引起的电路杂波问题,设计了一种新型电荷泵.该电荷泵电路采用常数跨导轨到轨运算放大器,降低了电荷共享引起的输出电压波动;采用基于全差分放...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 设计了一种用于UHF RFID标签芯片的低功耗时钟源电路.该时钟源电路采用弛豫振荡器结构,振荡周期由电阻和电容定义.振荡器工作在电源电压1V,偏置电流100 nA时,功耗为0.9 μW,工作...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 针对IEEE 802.11n标准中LDPC码多码率、多码长的特点,提出了一种基于ASIP架构的LDPC译码器设计方案.该译码器采用优化的分层译码算法、11级流水线技术以及基于ASIP结构的微...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 采用互补型交差耦合结构,设计了一个可工作于WiMAX(IEEE 802.16e,2.469～2.69GHz)和LTE(2 496～2 690 MHz)无线射频收发机的压控振荡器(VCO).采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器.由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性.由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了一种片内电流模比较增强型上电复位电路.与传统的片内上电复位电路相比,该上电复位电路避免了二极管复位电路复位信号不彻底和基准增强型上电复位电路较复杂的缺点,利用简单的二极管箝位模块、电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 针对传统全差分有源电感在高频下品质因子Q较低的问题,联合使用Cascode拓扑和RC反馈网络对其进行优化.组合电路引入的双重负阻有效抵消了有源电感的寄生电阻,进而有效提高了高频下的Q值.基于...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 针对单光子雪崩二极管探测器,提出了一种紧凑的主动淬灭电路和读出电路,能够快速控制雪崩电流淬灭,对光子雪崩脉冲进行线性和对数方式的模拟计数.该电路能够最大限度地减少淬灭时间,缩短死区时间,扩大...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 设计了基于1T1R结构的16 kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图.芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(ESD).版图上对纳米存储单元(1R)与CMOS...
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19. 微系统技术创新发展策略研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 简略论述了国际上重要公司微系统重点发展技术和策略,以及成为热点的3D集成技术及其主要开发联盟.初步探讨了我国微系统技术和产业创新发展策略,明确提出了建立以标准开发为目的的联合开发平台建议、重...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了国内外模拟前端低功耗设计的发展现状以及挑战.基于模拟集成电路功耗设计理论,对智能传感器模拟前端进行了分析,重点论述了模拟前端低功耗设计的特点以及系统级、电路级创新性的实现方法,展望了低...
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21. 等离子体刻蚀工艺模型研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 综述了等离子体刻蚀模型的研究进展,包括粒子方法模型和动力学模型的现状与进展.粒子方法模型主要介绍蒙特卡洛模型和结合蒙特卡洛模型的混合模型,动力学模型主要介绍反应位点模型、分子动力学模型和混合...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 为了满足下一代视频压缩标准HEVC中定义的四种不同长度DCT变换的要求,提出了一种灵活的DCT变换的VLSI架构.从DCT系数矩阵分解算法推导出可用于不同长度的一维DCT变换的硬件架构,在保...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 结合对数放大器的对数斜率及动态范围等关键参数的定义,讨论了最小二乘法、最小一乘法及最佳直线法三种线性拟合法则在对数放大器测量中的应用,分析和验证了不同算法对理想特性直线及测量的影响.最佳直线...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 随着VLSI集成度的提高,缓冲器插入技术作为一种互连优化方法,在系统设计中得到了广泛的应用.提出一种针对片上互连网络的缓冲器插入方法,求解在摆率约束下的缓冲器最优插入问题.该方法由两阶段算法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 提出了两支包含不同平行折射率NⅡ的低杂波协同注入时电流驱动的简单模型,并利用射线追踪方程和并行计算技术,对其中高NⅡ低杂波对电流驱动的影响进行了数值模拟,结果发现包含高N Ⅱ的波谱分量对电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45 nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证.通过TCAD工具建立工具流,在300～400 K温度下,实现对45 nmCMOS器件Ⅰ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 熔性/亚熔性激光退火在IGBT类电力电子器件制造中有着重要的作用.该工艺涉及瞬间、局部、高强度的能量馈入冲击,材料在升温段涉及固态至亚熔或局部熔化状态的相变,在随后降温段的退火,还有离子注入...
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28. SiGe HBT高频特性研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳.渡越时间受温度改变影响,SiGeHBT的高频性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 将紫铜板和不同尺寸的均温板作为均温组件,布置在LED模拟热源与肋片之间,研究它们在不同热流密度下的均温及热阻表现.实验结果表明,紫铜板和均温板都可使肋片底面温差显著下降,但均温板具有更短的启...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAsMOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较.研究...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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