SiGe HBT高频特性研究

• 作者: 刘静 武瑜 高勇
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 物理学
• 关键词: SiGe HBT 频率 Ge分布 低温工艺
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 130-135
• 分类号: O47
• 语种: 中文

摘要

从器件结构、工艺条件等方面,对影响SiGe HBT高频特性的因素进行对比分析,并在此基础上,对提高SiGe HBT频率特性的方法进行了总结归纳.渡越时间受温度改变影响,SiGeHBT的高频性能在低温下提高.多种形状的基区Ge分布影响基区渡越时间,对提高频率起关键作用.降低工艺温度能有效减小杂质扩散,优化频率.采用新结构以减小发射极电阻,或增加工艺隔离步骤以抑制寄生参数,均可提高频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	武瑜	西安理工大学电子工程系	2	4	1.0	2.0