基于TCAD的45 nm CMOS器件温度特性模拟

• 作者: 余金山 倪铭 马驰远
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 特性曲线 温度范围
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 119-124
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45 nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证.通过TCAD工具建立工具流,在300～400 K温度下,实现对45 nmCMOS器件Ⅰ-Ⅴ特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线.通过与工艺文件对比表明,在25℃～127℃范围内,45 nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金山	国防科技大学计算机学院	14	37	4.0	5.0
2	倪铭	国防科技大学计算机学院	2	3	1.0	1.0
3	马驰远	国防科技大学计算机学院	3	5	2.0	2.0