微电子学期刊
出版文献量(篇)
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 罗萍 邱双杰 黄龙
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  306-309
    摘要: 设计了一种用于高压H桥电路中栅驱动器的线性稳压器,为H桥高端P-LDMOS提供了稳定的开启栅电压.采用频率补偿切换和自适应偏置电流技术,以保证稳压器在周期性突变的容性负载下的稳定性,并且具有...
  • 作者: 朱平 高瑜宏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  310-315
    摘要: 提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器(TIA),用于检测SEM成像产生的微弱信号.该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18 μm CMOS工艺进行制作.该TIA集成了一个具有10 p...
  • 作者: 吕果 庞佑兵 王智玮 陈隆章 马朝骥
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  316-320
    摘要: 基于混合集成电路工艺,采用氧化铍衬底厚膜电路、陶瓷电容和半导体芯片,设计了一种高压运算放大器.采用ORCAD进行仿真,结果表明,该运放的供电电压为±15~±150 V,输出电流为75 mA,...
  • 作者: 刘晓宇 王溪 赵华 郭栋
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  321-325
    摘要: 提出了基于GaAs微波单片集成(MMIC)的W波段高输出功率放大器模块.该模块包括MMIC功率放大器(PA)和波导-微带转换结构.采用功率合成技术和微带耦合电容,实现了低损耗匹配网络,提高了...
  • 作者: 何雍春 周凯利 徐媛媛 杨正琳 杨皓 王冠宇 王巍 袁军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  326-331
    摘要: 设计了一种基于维纳延迟环的时间数字转换器(TDC).该TDC基于TSMC 0.18 μmCMOS工艺进行设计,实现了高分辨率和高线性度.采用一种新型环形传播延迟结构来代替时钟信号,相比传统结...
  • 作者: 唐韵扬 张波 明鑫 甄少伟 高笛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  332-337
    摘要: 设计了一种新型自适应关断时间(AFT)模式Boost电路.不同于传统的采样输入/输出电压的自适应电路,该AFT模式Boost电路直接采用真实的占空比信息,设置了自适应比较点,解决了开关频率受...
  • 作者: 刘登宝 林福江 王子谦 白雪飞
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  338-343
    摘要: 基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种可适用于背板与芯片互连的10 Gbit/s低功耗发射机.该发射机由半率前馈均衡器、时钟信号接收电路和源串联终端(SST)驱动器组成.前馈均衡...
  • 作者: 丁红 张万荣 李振松 王亚飞 赵彦晓
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  344-347
    摘要: 提出了一种高Q值、高线性度SiGe HBT有源电感.基于NPN SiGe HBT共发射极-共基极-共集电极结构,引入有源负阻网络,以提高有源电感的Q值.采用前馈电流源,提高了有源电感的线性度...
  • 作者: 刘琳 岳素格 张晓晨 胡春艳 陆时进
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  348-352,358
    摘要: 为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T).在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存“0”节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点...
  • 作者: 周光辉 方凯 易茂祥 黄正峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  353-358
    摘要: 电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递.基于32 nm CMOS工艺,在100℃下,分析了NBTI老化对传统电平转换电路的影响,并提出应对老化的方案.设计了...
  • 作者: 周泽坤 孙汉萍 张波 李颂 王卓 石跃 董瑞凯
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  359-363
    摘要: 提出了一种随温度折返式变化的电流限产生电路.该电路能起到系统级过温保护的作用.采用NTC热敏电阻来采样温度的变化信息,再放大后转换成电流,以便动态并线性地控制电流限.利用内嵌的多环路控制策略...
  • 作者: 张家豪 张文林 张波 明鑫 王卓 甄少伟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  364-369
    摘要: 提出了一种低输入电压的快速瞬态响应片上低压差线性稳压器(LDO).采用基于反相器的轨-轨输入运放作为误差放大器(EA)的输入级.EA后级采用大抽灌电流能力的STCB结构.LDO加入了高通耦合...
  • 作者: 孙林 廖建军 樊川
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  370-373,380
    摘要: 为改善供电系统的供电质量,提高电能的利用率,提出了一种宽电压(交流电压有效值为85~264 V)输入、兼容50 Hz/400 Hz频率的功率因数校正器.该校正器通过对输入交流电压进行采样,实...
  • 作者: 卫海燕 曾凤姣 邓红辉
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  374-380
    摘要: 平均电阻网路的引入会给预放大器带来增益、延时误差、边界效应等问题.通过从中间向两边依次增加预放大器输入对管的尺寸,减小整体误差.通过改变环形平均电阻的边界阻值和边缘放大器的输入参考电压,减小...
  • 作者: 张国华 曹靓 王雪萍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  381-385
    摘要: 针对高可靠性领域和复杂环境对大规模反熔丝FPGA器件的迫切需求,设计了一种新的用于反熔丝FPGA的可动态配置IO接口电路.该IO接口电路具有宽的输入输出电压范围,能实现多驱动调节,支持一系列...
  • 作者: 张成彬 杨洁 杨艳军 胡红博
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  386-389
    摘要: 提出了一种具有温度补偿和数字修调的低功耗CMOS张弛振荡器.基于阈值电压和偏置电流的匹配技术实现输出频率的1阶温度补偿,保证输出频率在大温度范围内的高稳定性.采用数字修调技术,校正工艺偏差引...
  • 作者: 任敏 张波 张金平 李佳驹 李泽宏 谢驰 高巍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  390-394
    摘要: 为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率.简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规...
  • 作者: 吕立山 周雄 李强
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  395-400
    摘要: 在低供电电压下,Sigma-Delta调制器因信号摆幅的限制很难达到较高的精度和线性度.工作在低压弱反型区的MOS管限制了电路的速度、增益和MOS开关的性能.总结了近年来低压、低功耗Sigm...
  • 作者: 丁召明 周雄 李强
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  401-405,415
    摘要: 总结了低功耗逐次逼近寄存器模数转换器代表性技术及解决方案的最新研究进展.这些模数转换器采用的结构包括有采样开关信号泵升结构、电容阵列翻转结构、低功耗比较器结构等.从逐次逼近寄存器模数转换器各...
  • 作者: 何雍春 徐媛媛 杨正琳 杨皓 王巍 袁军 黄孟佳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  406-410
    摘要: 提出一种可用于DDFS的类线性插值算法,并在FPGA上进行了硬件实现.分析了DDFS核心模块(相位-幅度转换模块)中各种算法的优缺点,提出了一种采用线性函数和抛物线函数对正弦波曲线进行分段拟...
  • 作者: 吴建荣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  411-415
    摘要: 研究了HDP-CVD PSG薄膜在栅极周围类似“花朵”状的磷含量分布的机理.实验结果表明,“花朵”状的磷含量分布是HDP-CVD反应腔中Bias RF将栅极间隙顶部的氧化物轰击溅射到间隙底部...
  • 作者: 刘景全 包步峰 吉博文 杨斌 王明浩 王晓林 郭哲俊 陈翔
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  416-420
    摘要: 提出了一种面向人工耳蜗的基于聚酰亚胺的柔性微电极阵列.采用薄膜微加工工艺,形成金属-聚酰亚胺-金属三明治结构.为研究器件的长期稳定性,进行了加速老化实验.将器件放置在质量分数为0.9%的生理...
  • 作者: 刘玉岭 季军 张文倩 杜义琛 牛新环 王辰伟 韩丽楠
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  421-424
    摘要: 碱性条件下,非离子型表面活性剂在阻挡层化学机械平坦化中起着重要的作用.分别对阻挡层材料Cu、Ta以及SiO2介质进行抛光,然后测量铜表面粗糙度.对含有不同浓度活性剂的抛光液进行接触角和Zet...
  • 作者: 冯霞 梁涛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年3期
    页码:  425-428
    摘要: PNP管的结构是由P型发射区、N型基区、P型集电区组成的三层两结.PNP管的基区宽度和基区掺杂对PNP管电特性的影响很大.在常规IC工艺中,通常采用先做试片的方式来确定基区的磷掺杂扩散时间,...
  • 作者: 俞军 张幸幸 李夏禹 陆继承
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  429-432
    摘要: 提出一种特殊数字滤波器的结构优化方案,可以简化滤波器结构、节省电路面积.将该方案应用于解调ISO/IEC 14443协议规定的PICC到PCD的副载波调制信号.在此基础上,改变子滤波器的位置...
  • 作者: 俞航 冯晓星 李琰 葛彬杰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  433-436,442
    摘要: 基于SMIC 0.18 μm 1P4M CMOS工艺,实现了一种2阶复数滤波器.该滤波器的中心频率为-1 MHz,带宽为1 MHz,可以实现10 dB的镜像抑制比.采用Tow-Thomas结...
  • 作者: 唐雨晴 曾华林 谢亮 金湘亮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  437-442
    摘要: 提出了一种应用于图像传感器的10位160 kS/s的循环型模数转换器(ADC).采用1.5位的流水线ADC结构,经过10次循环后,得到10位数字码输出.采用输入端自级联结构的两级运算放大器,...
  • 作者: 万辉 刘虹宏 陈隆章 高炜祺
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  443-447
    摘要: 设计并实现了一种双路12位电压输出型数模转换器(DAC).采用“10+2”分段式结构,高10位采用开关树电阻串DAC架构,保证了DAC良好的单调性.低2位采用电流舵DAC架构,从整体上减小了...
  • 作者: 于冬 王小波 郭玮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  448-451,457
    摘要: 基于65 nm CMOS工艺,提出了一种能将差分时钟信号驱动到传输线上并且能将全摆幅差分时钟信号转换为低摆幅差分时钟信号的驱动电路.该时钟驱动电路改善了传统驱动电路无法补偿传输线的高频衰减且...
  • 作者: 包蕾 徐卫林 李兴旺 段吉海 韦保林 韦雪明
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2018年4期
    页码:  452-457
    摘要: 采用SMIC 180 nm工艺,设计了一种地端关断差分驱动CMOS射频整流器.通过切断能量传输路径,解决了传统可关断差分驱动CMOS射频整流器因短路电流较高导致关断功耗(POFF)较大的问题...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

微电子学统计分析

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