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稀有金属期刊
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稀有金属

Chinese Journal of Rare Metals

CACSCDEIJSTAJCSTPCD

影响因子 1.2374
本刊是以稀有金属材料研究、开发和冶炼为特色的大型综合性双月刊，由国家有色金属工业局主办，北京有色金属研究总院承办。是中文核心期刊，主要报道稀有金属、贵金属、稀土金属及镍、钴等有色金属在材料研制、合金加工、选矿、冶炼、理化分析测试等方面的最新科研成果及应用，同时还报道超导材料、半导体材料、复合材料、陶瓷材料、纳米材料、磁性材料等新材料的研究开发及应用。在稀有金属领域享有较高的学术水平和权威性。
主办单位：
北京有色金属研究总院
期刊荣誉：
中国科技论文统计源期刊  中文核心期刊  冶金工业类核心期刊 
ISSN：
0258-7076
CN：
11-2111/TF
出版周期：
月刊
邮编：
100088
地址：
北京新街口外大街2号
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  • 121. 煤矸石中微量钪的分光光度法测定
    作者： 夏畅斌 黄念东
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  449-451
    摘要： 在(CH2)6N4-HCl缓冲溶液中, 研究了微量钪(Ⅲ)-埃铬菁R(ECR)-溴化十六烷基吡啶(CPB)之间的配合反应.结果表明, 在pH 6.0 的(CH2)6N4-HCl缓冲溶液中和O...
  • 122. NEC开发出不使用卤素和磷的高阻燃性植物塑料
    作者：
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  451-451
    摘要：
  • 123. 氟碳铈矿酸浸过程中铁和铈的行为研究
    作者： 张国成 李德栋 李红卫 龙志奇
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  452-454
    摘要： 针对氟碳铈矿浸出液直接萃取提铈过程中 F-, Fe3+等杂质的存在造成的有机乳化问题, 重点研究了焙烧矿在稀硫酸浸出过程中铈和铁的浸出行为.通过研究发现, 在不同的浸出温度下铁和铈的浸出率有...
  • 124. GaN 纳米结构的制备
    作者： 刘建强 杨莺歌 肖洪地 薛成山 马洪磊 马瑾
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  455-457
    摘要： 提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米...
  • 125. 反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶
    作者： 于洪国 张海涛 武壮文 王继荣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  458-461
    摘要： HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于...
  • 126. 分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜
    作者： 何志巍 兰伟 王印月 甄聪棉 缑洁 郭得峰
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  462-465
    摘要： 报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTI...
  • 127. GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析
    作者： 刘海文 孙晓玮 程知群 车延锋
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  466-469
    摘要： 通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数,利用HP ADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径.
  • 128. 端口驻波比对混频器变频损耗影响
    作者： 孙晓玮 程知群 钱蓉
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  470-472
    摘要： 设计24.1 GHz集成环形混频器电路,用Aglient ADS 软件进行了仿真优化,对研制混频器电路进行了性能测试和分析.测试结果表明,通过调节端口驻波比可以较大改善混频器的变频损耗,使混...
  • 129. Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计
    作者： 孙晓玮 程知群 车延锋
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  473-475
    摘要： 给出了Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计过程,根据直流特性曲线确定直流工作点,得到对应的S参数,再转化为Z参数,计算出输入输出谐振回路和输出电路的阻抗,用Agilent ADS软件进...
  • 130. 非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究
    作者： 周春锋 赖占平 高瑞良 齐德格
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  476-479
    摘要： 为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉...
  • 131. AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应
    作者： 仇志军 唐宁 桂永胜 沈波 郑有炓 陈敦军
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  480-483
    摘要： 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到了磁致子带间散射(MIS)效应.在极低温下观察到了表征两...
  • 132. X波段单片低噪声放大器芯片
    作者： 周正林 彭龙新 林金庭 蒋幼泉 魏同立
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  484-486
    摘要： 报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件...
  • 133. Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究
    作者： 周慧梅 沈波 焦刚 郑有炓 陈堂胜 陈敦军
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  487-490
    摘要： 研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN(i-AlGaN/GaN) 异质结构之间的欧姆接触性质.在退火温度低于700 ...
  • 134. AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性
    作者： 沈波 褚君浩 郑有炓 郑泽伟 郭少令 陈敦军
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  491-494
    摘要： 通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于...
  • 135. 硅基AlN应力和压电极化研究
    作者： 周春红 孔月婵 张荣 沈波 邓咏桢 郑有炓
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  495-498
    摘要： 通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A...
  • 136. 衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
    作者： 于广辉 叶好华 李爱珍 雷本亮 齐鸣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  499-501
    摘要： 研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响...
  • 137. ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究
    作者： 何志巍 方泽波 朋兴平 王印月 谭永胜
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  502-504
    摘要： 用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备...
  • 138. GaAs/Ge太阳电池界面特性研究
    作者： 张忠卫 池卫英 王亮兴 陆剑峰 陈鸣波
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  505-507
    摘要： 采用低压金属有机物化学气相沉积(MOVPE)工艺,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区,导致电池性能严重下降,而Ga和As的扩散,常常导致异常...
  • 139. 空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究
    作者： 张忠卫 彭冬生 池卫英 王亮兴 陆剑峰 陈鸣波
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  508-510
    摘要： 报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽...
  • 140. 用于1.44 μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计
    作者： 劳燕锋 吴惠桢
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  511-515
    摘要： 采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1-xAs/In0.80Ga0.20As0.44P0.56/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构...
  • 141. InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究
    作者： 徐安怀 邹璐 陈晓杰 齐鸣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  516-518
    摘要： 本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备...
  • 142. Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质
    作者： 余旭浒 王玉恒 计峰 马洪磊 马瑾 黄树来
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  519-521
    摘要： 采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出Zn-Sn-O透明导电薄膜.制备薄膜为非晶结构,并且具有很好的稳定性,与玻璃衬底具有良好的附着性.薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电,薄膜的电阻率...
  • 143. InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
    作者： 刘天东 张永刚 朱福英 朱诚 李爱珍 洪婷 胡雨生
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  522-525
    摘要： 研制了InGaP/GaAs串接太阳电池,结果表明,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28 ℃),填充因子在79%～81%之间,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了...
  • 144. 隧道结在多结太阳电池中的应用
    作者： 张永刚 朱诚 李爱珍
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  526-529
    摘要： 主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及不同的掺杂浓度对于其I-V特性的影响,寻找出掺杂浓度...
  • 145. MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制
    作者： 唐田 唐雄心 张永刚 李爱珍 郑燕兰
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  530-532
    摘要： 基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补...
  • 146. 长波长半导体激光器波导层设计
    作者： 封松林 曹俊诚 高少文
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  533-535
    摘要： 研究了一种新型的,基于金属/半导体界面等离子体激元的波导结构,从理论上对激射波长在17μm的GaAs-AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和...
  • 147. 长波长(λ＝10 μm)四极子GaAs-AlGaAs微腔激光器
    作者： 吴根柱
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  536-539
    摘要： 简单介绍了中红外波段变形GaAs-AlGaAs圆柱微腔激光器的最新实验研制结果.并对其阈值电流、输出功率和远场特性进行了简单分析.
  • 148. LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
    作者： 付生辉 刘彩池 徐岳生 王海云 郝景臣 魏欣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  540-543
    摘要： 用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬...
  • 149. 半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
    作者： 刘彩池 唐蕾 徐岳生 杨新荣 王海云 郭华锋 魏欣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  544-546
    摘要： 通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与...
  • 150. 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究
    作者： 刘彩池 唐蕾 张春玲 徐岳生 王海云 申玉田 覃道志
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  547-550
    摘要： 砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs...

稀有金属基本信息

刊名 稀有金属 主编 屠海令
曾用名
主办单位 北京有色金属研究总院  主管单位 中国有色金属工业协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 0258-7076 CN 11-2111/TF
邮编 100088 电子邮箱 xxsf@grinm.com
电话 010-82241917 网址
地址 北京新街口外大街2号

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