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稀有金属期刊
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稀有金属

Chinese Journal of Rare Metals

CACSCDEIJSTAJCSTPCD

影响因子 1.2374
本刊是以稀有金属材料研究、开发和冶炼为特色的大型综合性双月刊，由国家有色金属工业局主办，北京有色金属研究总院承办。是中文核心期刊，主要报道稀有金属、贵金属、稀土金属及镍、钴等有色金属在材料研制、合金加工、选矿、冶炼、理化分析测试等方面的最新科研成果及应用，同时还报道超导材料、半导体材料、复合材料、陶瓷材料、纳米材料、磁性材料等新材料的研究开发及应用。在稀有金属领域享有较高的学术水平和权威性。
主办单位：
北京有色金属研究总院
期刊荣誉：
中国科技论文统计源期刊  中文核心期刊  冶金工业类核心期刊 
ISSN：
0258-7076
CN：
11-2111/TF
出版周期：
月刊
邮编：
100088
地址：
北京新街口外大街2号
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  • 1. GaN 纳米结构的制备
    作者： 刘建强 杨莺歌 肖洪地 薛成山 马洪磊 马瑾
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  455-457
    摘要： 提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米...
  • 2. 反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶
    作者： 于洪国 张海涛 武壮文 王继荣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  458-461
    摘要： HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于...
  • 3. 分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜
    作者： 何志巍 兰伟 王印月 甄聪棉 缑洁 郭得峰
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  462-465
    摘要： 报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTI...
  • 4. GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析
    作者： 刘海文 孙晓玮 程知群 车延锋
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  466-469
    摘要： 通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数,利用HP ADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径.
  • 5. Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计
    作者： 孙晓玮 程知群 车延锋
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  473-475
    摘要： 给出了Ka波段PHEMT MIMIC VCO设计过程,根据直流特性曲线确定直流工作点,得到对应的S参数,再转化为Z参数,计算出输入输出谐振回路和输出电路的阻抗,用Agilent ADS软件进...
  • 6. AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应
    作者： 仇志军 唐宁 桂永胜 沈波 郑有炓 陈敦军
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  480-483
    摘要： 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到了磁致子带间散射(MIS)效应.在极低温下观察到了表征两...
  • 7. X波段单片低噪声放大器芯片
    作者： 周正林 彭龙新 林金庭 蒋幼泉 魏同立
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  484-486
    摘要： 报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件...
  • 8. Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究
    作者： 周慧梅 沈波 焦刚 郑有炓 陈堂胜 陈敦军
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  487-490
    摘要： 研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN(i-AlGaN/GaN) 异质结构之间的欧姆接触性质.在退火温度低于700 ...
  • 9. 硅基AlN应力和压电极化研究
    作者： 周春红 孔月婵 张荣 沈波 邓咏桢 郑有炓
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  495-498
    摘要： 通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A...
  • 10. GaAs/Ge太阳电池界面特性研究
    作者： 张忠卫 池卫英 王亮兴 陆剑峰 陈鸣波
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  505-507
    摘要： 采用低压金属有机物化学气相沉积(MOVPE)工艺,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区,导致电池性能严重下降,而Ga和As的扩散,常常导致异常...
  • 11. 空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究
    作者： 张忠卫 彭冬生 池卫英 王亮兴 陆剑峰 陈鸣波
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  508-510
    摘要： 报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽...
  • 12. 用于1.44 μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计
    作者： 劳燕锋 吴惠桢
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  511-515
    摘要： 采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1-xAs/In0.80Ga0.20As0.44P0.56/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构...
  • 13. InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
    作者： 刘天东 张永刚 朱福英 朱诚 李爱珍 洪婷 胡雨生
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  522-525
    摘要： 研制了InGaP/GaAs串接太阳电池,结果表明,电池的转换效率在21%～24%之间(1AM0,28 ℃),填充因子在79%～81%之间,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了...
  • 14. 隧道结在多结太阳电池中的应用
    作者： 张永刚 朱诚 李爱珍
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  526-529
    摘要： 主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及不同的掺杂浓度对于其I-V特性的影响,寻找出掺杂浓度...
  • 15. MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制
    作者： 唐田 唐雄心 张永刚 李爱珍 郑燕兰
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  530-532
    摘要： 基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补...
  • 16. 长波长(λ＝10 μm)四极子GaAs-AlGaAs微腔激光器
    作者： 吴根柱
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  536-539
    摘要： 简单介绍了中红外波段变形GaAs-AlGaAs圆柱微腔激光器的最新实验研制结果.并对其阈值电流、输出功率和远场特性进行了简单分析.
  • 17. LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
    作者： 付生辉 刘彩池 徐岳生 王海云 郝景臣 魏欣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  540-543
    摘要： 用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬...
  • 18. 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究
    作者： 刘彩池 唐蕾 张春玲 徐岳生 王海云 申玉田 覃道志
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  547-550
    摘要： 砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs...
  • 19. 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜
    作者： 刘力锋 刘志凯 张富强 李艳丽 杨少延 陈晨龙 陈诺夫
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  558-562
    摘要： 利用质量分离的低能离子束技术,获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、 X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性.测试结果表...
  • 20. 化合物半导体材料的光电应用现状
    作者： 俞斌才 邓志杰 郑安生
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  563-568
    摘要： 在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势.以高亮度...
  • 21. GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
    作者： 唐雄心 李华 李存才 李爱珍 胡建 齐鸣
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  569-571
    摘要： 报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ5...
  • 22. 四阱耦合InGaAs/InAlAs/InP量子级联激光器材料的结构特性研究
    作者： 李华 李爱珍
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  572-573
    摘要： 报道了用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器(QCL)材料的结构特性.X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面(含770...
  • 23. GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收
    作者： 伍滨和 夏冠群 曹俊诚
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  577-578
    摘要： 利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一方法没有采用稳态假设.计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数.利...
  • 24. 全固源分子束外延1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料
    作者： 任在元 何为 罗毅 郝智彪
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  579-581
    摘要： 利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通...
  • 25. 太赫兹场作用下GaAs 量子阱的光吸收研究
    作者： 曹俊诚 米贤武
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  585-587
    摘要： 用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇...
  • 26. 基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器
    作者： 吕京涛 曹俊诚
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  590-591
    摘要： 在闪锌矿结构的GaN中,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应.基于这种机制的GaN n+n n+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内.从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以...
  • 27. 一维准周期光子晶体的太拉赫兹布洛赫振荡源
    作者： 张拥华 曹俊诚
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  592-593
    摘要： 从理论上研究了厚度梯变的一维光子晶体中的光学布洛赫振荡,利用传输矩阵和散射态方法讨论了该结构的透射谱特性和其中的电场随时间和空间的演变过程.研究表明,一束超快的高斯脉冲在该准周期的光学超晶格...
  • 28. 一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法
    作者： 刘东升 刘新福 孙以材
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  594-597
    摘要： 概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试,在3寸芯片上测试了598个366 μm...
  • 29. 均匀掺杂稀土钼粉的制备
    作者： 刘伟 刘燕琴 周美玲 崔颖 王金淑
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  598-601
    摘要： 采用溶胶凝胶(Sol-Gel)和两步氢还原法,成功制备了掺杂复合RE2O3(RE2O3=La2O3+Y2O3)的稀土钼粉末,采用XRD,TEM分析手段对还原后的粉末成分、形貌、粒度等进行分析...
  • 30. 提高痕量碳硫分析精度探讨
    作者： 朱艳
    刊名： 稀有金属
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  602-604
    摘要： 就如何提高高频红外分析痕量碳硫样品的精度进行了探讨,提出要提高痕量碳硫样品分析精度一定要降低测量误差.测量误差主要来源于4大类: 空白值、样品的污染和试剂粉尘对分析气的吸附、操作过程引进的误...

稀有金属基本信息

刊名 稀有金属 主编 屠海令
曾用名
主办单位 北京有色金属研究总院  主管单位 中国有色金属工业协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 0258-7076 CN 11-2111/TF
邮编 100088 电子邮箱 xxsf@grinm.com
电话 010-82241917 网址
地址 北京新街口外大街2号

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