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真空科学与技术学报1998年出版文献
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
真空科学与技术学报
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本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位：
中国真空学会
ISSN：
1672-7126
CN：
11-5177/TB
出版周期：
月刊
邮编：
100022
地址：
出版文献量（篇）
4084
总下载数（次）
3
总被引数（次）
19905
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 运用EXAFS技术分别对含有自冷和急冷US-SSY分子筛的Ni-W-γ-Al2O3样品中的W的LⅢ吸收边和Ni的K吸收边进行了结构分析.结果表明分子筛超稳化后的冷却速率对样品中原子的局域结构...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 利用真空喷射沉积技术制备了Zn纳米颗粒薄膜,研究了工艺参数对薄膜形貌及晶体结构的影响规律,给出了颗粒尺度和外形随Ar气流量、蒸发源温度、喷嘴尺寸形状和沉积时间的变化规律,并对其机理进行了分析...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 介绍了发生在双辉光离子渗金属技术中的双辉光交链增强型放电现象,分别采用交链等效电路法和微变等效电路法,对这种双辉光交链增强型放电现象进行了描述.
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 介绍了利用反应溅射法制备Ti1-xAlxN薄膜的工艺过程,测量并分析了Ti1-xAlxN薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系.结果表明,Ti1-xAlxN薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中A...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 对Au-Si-Be液态金属离子源的发展进行了较详细的介绍,包括源的结构、发射特性,以及不同的合金配比、源工作温度、环境气体、系统真空度对源发射稳定性的影响.
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 首次采用ZnSe和MgF2双层减反射膜镀制半导体光放大器,分别测出了两端面的剩余反射比曲线.结果表明,该放大器两端面反射比乘积最小值低于1×10-6,按照O′Mahoney给出的判据,其可用...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 以电子光学系统中发射系统为实例,从收敛速度、搜索效果、整体收敛性等几个方面,系统地对非线性规划的五种搜索方法在电子光学系统设计中的应用进行分析和比较,得出了一些有价值的结果.计算表明Rose...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 介绍了光束线前端区装置的组成及光束线真空保护联锁与控制要点.根据光束线真空保护联锁与控制的要求,本实验室研制了真空传感器、快速关闭阀及快阀控制器等真空保护联锁与控制系统所需的关键部件,进一步...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜,并在高真空中退火.利用二次离子质谱(SIMS)对样品进行了深度剖析,给出了Ti/AlN界面组分分布随退火温度和...
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10. 类金刚石膜中应力释放花样形貌分析刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 用Raman谱研究了射频-直流等离子体化学气相沉积法制备的类金刚石膜结构,用弯曲法研究了类金刚石膜的应力,用光学显微镜对类金刚石膜中由于压应力的释放所形成的花样形貌进行了观察.类金刚石膜中存...
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11. 银氧化膜的分形研究刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 在银氧铯光电阴极的制备过程中,初始两步是蒸积银膜和辉光放电氧化.报道了氧化银膜的电子显微镜观察结果的实例,它显示出纹理结构和分形特性.利用计算机对照片进行了分形维数D的计算,得出D=1.80...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 介绍了国家同步辐射实验室800MeV储存环真空数据计算机监测系统,并对其硬件结构和软件部分作了简述.该系统自开始使用至今已5年多,运行情况良好.记录了真空系统的大量真空数据,为电子储存环机器...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积工艺中高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响,一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中.微波ECR-PCVD技术没有高能粒子对芯片的辐射...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 对纳米MgO微晶的系列样品进行了差热分析(DTA)测量和X射线衍射(XRD)实验研究.结合所获得的晶粒度和XRD微结构参数,发现纳米晶MgO的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,纳米M...
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15. 西洋参真空冷冻干燥工艺的研究刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 主要介绍西洋参采用真空冷冻干燥工艺处理的先进方法,获取的制品优于传统的加工方法,保持了西洋参的特性与风味,有利于分切与制剂,便于食用,为西洋参的开发与保鲜创造了条件.
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16. 超微细图形加工技术进展刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 自1959年集成电路发明以来,它已经对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响.集成电路正以线宽每年缩小30%、集成规模增长1倍、芯片价格随之下降的惊人速度发展.光刻技术的发展始终...
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17. CrMo合金膜的俄歇线形分析刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对Ar气氛下射频溅射所镀铬钼合金膜,采集不同组分配比的俄歇电子能谱,经平滑、扣除本底处理,得出随铬钼相对比例改变的变化规律.根据俄歇电子跃迁的准原子模型,对谱峰进行曲线拟合,得出铬钼合金膜并...
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18. 含铁聚合物薄膜的制备、结构和性能刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积(PEMOCVD)工艺制备含铁聚合物薄膜.考察了偏压、源物加热电压对膜的沉积速率及膜中Fe的填充系数的影响.用IR,XPS,TEM和TED对膜的组成...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 介绍了多碱光电阴极制备过程中测试的光谱响应,并作了简单分析.研究结果表明,Sb,K交替决定双碱化合物Na2KSb的导电类型,Cs处理降低Na2KSb的电子亲和势,延伸长波阈;Sb,Cs交替形...
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20. Si局域分子束外延技术刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构.实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触.这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度.
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21. 纳米晶体Fe2O3点阵参量的研究刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对γ相和α相纳米晶体Fe2O3的系列样品进行了X射线衍射点阵参量实验研究和计算.结合所得到的晶粒度和微结构参数,发现纳米晶体Fe2O3的晶粒组元中存在着晶格畸变;随着温度的升高,γ相和α相纳...
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22. ZnO:Al透明导电薄膜的研制刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点.介绍了ZnO:Al薄膜的制备情况:...
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23. 金属楔形发射体电子场发射理论研究刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例.该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射比,最后得到楔形发射体的场发射伏...
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24. 真空漏孔的校准方法刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 在检漏工作中,要定量地确定被检漏孔的漏率,需要将漏率的量值从气体微流量标准或漏率标准正确地传递到质谱检漏仪.在这个传递过程中,对参考漏孔的校准是一个很重要的环节.以国内外有关的标准和文献为基...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 利用溅射-气体-聚集(SGA)共沉积法,分别在方华膜和光学石英玻璃衬底上制备了Cu团簇嵌埋在CaF2介质中的Cu/CaF2复合团簇镶嵌薄膜样品.透射电镜(TEM)分析表明,样品为多晶结构;样...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 本实验用对向靶溅射仪分别在S(100),NaCl单晶衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对薄膜结构与磁性的影响.氮气分压为0.04～0.07...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 氮化硅膜具有对软X射线吸收较小、成膜光滑、强度大和致密性好等优点,因而常选作为窗口材料.本文主要介绍了用于软X射线显微术的氮化硅窗口的制备工艺,给出在国家同步辐射实验室软X射线显微术实验站使...
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28. 含银粗铋真空精炼刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 研究了含银粗铋真空蒸馏精炼的可能性和规律性.试验结果表明,采用真空蒸馏法精炼粗铋在技术上是可行的.所采用的工艺条件为:蒸馏温度900～950℃;时间15～20min;系统残余气体压强25～4...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 介绍了一种采用DECR等离子体在低温下制备高质量SiO2薄膜的PECVD工艺.讨论了DECRPECVD工艺中气相O/Si原子比以及沉积速率对SiO2薄膜性能的影响.采用包括高能离子分析、椭偏...
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刊名： 真空科学与技术学报发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 采用离子束增强沉积方法,在p型(100)单晶硅衬底上,通过不同能量的氙离子辅助轰击,以不同的沉积速率制备了Ti-B超硬薄膜.X射线衍射分析结果表明,Ti-B薄膜呈TiBx多晶结构,其晶化程度...
真空科学与技术学报基本信息
| 刊名 | 真空科学与技术学报 | 主编 | 吴锦雷 |
| 曾用名 | 真空科学与技术 | ||
| 主办单位 | 中国真空学会 | 主管单位 | 中国科学技术协会 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1672-7126 | CN | 11-5177/TB |
| 邮编 | 100022 | 电子邮箱 | vst@chinesevacuum.com |
| 电话 | 010-58206280 | 网址 | |
| 地址 | 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室 |
真空科学与技术学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
真空科学与技术学报统计分析
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