深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型

• 作者: 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅控混合管 解析模型 SOI 深亚微米
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 451-459
• 页数: 9页
• 分类号: TN302
• 字数: 6234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.05.008

摘要

提出了深亚微米SOI GCHT电流模型.不同于普通MOSFET短沟模型的处理,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响,采用准二维分析及抛物线近似,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的影响,较好地反映了电荷共享效应及DIBL效应,并定量计算出与漏电压和栅电压同时相关的动态阈值电压漂移量.模型中同时考虑了速度饱和效应、迁移率下降效应和沟道长度调制效应等.该模型具有清晰的物理意义,从理论上解释了GCHT具有较小的短沟效应及较高的阈值电压稳定性等物理现象.模型计算结果与数值模拟及实验结果吻合良好,较好地描述了短沟GCHT的物理特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0