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摘要:
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量,设计了相应的产生寿命C-t瞬态测量系统,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。
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文献信息
篇名 少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 半导体 少子产生寿命 计算机辅助测量
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 87-91
页数 5页 分类号 TN304.07
字数 2183字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 丁扣宝 浙江大学西溪校区信息与电子工程学系 18 85 6.0 8.0
2 宋加涛 6 27 2.0 5.0
3 张秀淼 浙江大学硅材料国家重点实验室 1 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2004(1)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体
少子产生寿命
计算机辅助测量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
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5
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9851
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