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固体电子学研究与进展期刊
出版文献量（篇）
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9851

固体电子学研究与进展

Research & Progress of Solid State Electronics

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.2918
本刊是南京电子器件研究所主办的全国性学术季刊，向国内外公开发行。国内统一刊号：CN32-1110/TN，国际统一刊号：ISSN1000-3819，主编：林金庭，地址：南京市中山东路524号，邮编：210016，电话：4615599-5864。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEM... 更多
主办单位：
南京电子器件研究所
期刊荣誉：
中国期刊方阵  信息产业部2001-2002年优秀期刊  双效期刊 
ISSN：
1000-3819
CN：
32-1110/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）
出版文献量（篇）
2483
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  • 1. 2～6 GHz单片功率放大器
    作者： 朱轩昂 林金庭 陈效建
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  119-125
    摘要： 报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在2.0～6.7 GHz频带上线性增益为17 dB，平坦度为±0.75 d...
  • 2. GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模
    作者： 宋军 岑元飞 徐世晖 李辉 陈效建 陈雪军
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  126-132
    摘要： 论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义，介绍了工程模型的概念和提取模型的方法，给出了在南京电子器件研究所进行的MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
  • 3. 超高速单电源GaAs判决再生电路
    作者： 夏冠群 孙晓玮 王永生 范恒 詹琰 赵建龙
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  133-138
    摘要： 设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源GaAs判决再生电路，采用非掺SI GaAs衬底直接离子注入、1μm耗尽型GaAs MESFET、平面电路工艺研制出单片GaAs判决再生电路。实验测试结...
  • 4. GaN基HFET的新进展
    作者： 俞慧强 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有 顾书林
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  139-145
    摘要： 回顾了氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管(HFET)的发展，概述了它的直流和微波特性。制作氮化镓基HFET可以采用不同的器件结构，不同的结构有各自的优点，对器件性能有很大影响。多数器件采用...
  • 5. 共振隧穿二极管电流密度-电压曲线的计算与分析
    作者： 梁擎擎 阮刚
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  146-150
    摘要： 用紧束缚能带方法计算双势垒结构GaAs／Ga1－xAlxAs／GaAs和InAs／GaSb／AlSb的电子、空穴电流密度，对计算结果进行分析，并对其结果在工艺设计中的应用进行讨论。
  • 6. 多晶硅热驱动微执行器的热流模型及数值模拟
    作者： 匡一宁 黄庆安
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  151-156,169
    摘要： 首先建立了一个横向热驱动微执行器的热流模型。由于这个模型比较全面地考虑了热传导、空气自然对流和辐射散热等各种因素，因而较为正确地反映器件的温度分布。用合适的数值算法计算了温度分布，温度分布的...
  • 7. 宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应
    作者： 冯耀兰 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  156-163
    摘要： 在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明，由于高温下晶格散...
  • 8. SOI横向二极管击穿特性分析
    作者： 洪垣
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  164-16
    摘要： 对硅片直接键合方法制作的SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量，通过计算机模拟分析了击穿机理，从器件的几何尺寸和衬底偏置电压方面，提出了提高击穿电压的途径。
  • 9. 双极晶体管结温分布不均匀性的电学测量方法
    作者： 张兴华 张德骏 杨列勇 杨志伟 苗庆海
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  170-175
    摘要： 用ΔVBE法测得的结温是器件有源区某一点的温度，流经该点的测试电流密度等于流经整个芯片的平均测试电流密度。测量结温随测试电流变化而变化，小测试电流测得的结温高，大测试电流测得的结温低，测得的...
  • 10. 一种基于聚类的Bus-Invert低功耗编码方法
    作者： 梁宇 郑茳 韩奇 魏同立
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  176-181
    摘要： 数字系统的功耗日益成为VLSI设计者关注的问题，低功耗设计已成为便携式产品和高性能系统设计的发展方向。文中将提出一种基于聚类的Bus-Invert低功耗编码方法，用于系统总线和I／0的低功耗...
  • 11. MOSFET中热载流子效应的计算、实验和模拟
    作者： 周思远 宗祥福 杨文清 罗永坚 蒋蓁 郑国祥
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  182-191
    摘要： 亚微米MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效，文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型，对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算；使用知名的集成电路器件模拟软件AT...
  • 12. 硅基微机械微波传输线特性阻抗的数值分析
    作者： 游淑珍 石艳玲 董兴其 赖宗声
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  192-196
    摘要： 在相似剖分有限元方法的基础上，结合硅基微波共平面传输线的特点，采用混合相似剖分技术，对这种长度为毫米级的悬浮传输线的特性阻抗进行了数值分析，主要讨论了刻蚀工艺的变化对其特性阻抗的影响。
  • 13. PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算
    作者： 严北平 张鹤鸣 戴显英
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  197-203
    摘要： 给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元件电路模型。
  • 14. GaN材料p型掺杂
    作者： 张荣 谢世勇 郑有 陈鹏
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  204-210
    摘要： 近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度太高，p...
  • 15. 以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究
    作者： 宗祥福 戎瑞芬 汪荣昌 胡向洋 邵丙铣 顾志光
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  211-215
    摘要： 研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10 MPa。同时对这...
  • 16. TiA1和TiPtAu栅GaAs MESFET稳定性研究
    作者： 孙英华 张万荣 李志国 沈光地 程尧海 陈建新 高玉珍
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  216-221
    摘要： 在高温和大栅电流下，对TiAl栅和TiPtAu栅MESFET的稳定性进行了比较研究，结果表明：(1)两种器件的击穿电压稳定，栅Schottky接触二极管理想因子n变化不明显；(2)TiAl栅...
  • 17. 保护气氛再流焊对塑料球栅阵列焊点性能的影响
    作者： 吴懿平 崔崑 张乐福
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  222-228
    摘要： 采用静态弯曲和高速弯曲变形实验方法讨论了保护气氛再流焊塑料球栅阵列(PBGA)组装板焊点的性能。结果表明，采用氮气保护再流焊工艺得到的PBGA组装板的最大弯曲试验载荷和冲击功比采用压缩空气对...
  • 18. 砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
    作者： 周智慧 张绵 胡恺生 郭小兵
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  229-233
    摘要： 用波长范围为700 nm到3500 nm的光电流测试系统研究了SI-GaAs衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在SI-GaAs衬底、有源层和MESFET中的深能级有着较为密切的联...
  • 19. 用于铁电存储器的PZT薄膜的制备与性能
    作者： 宋浩然 林殷茵 汤庭鳌 黄维宁
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  234-238,240
    摘要： 采用MOD方法制得了具有纯钙钛矿结构和良好铁电性能的PZT薄膜，典型Pr、Ps、Ec值分别为27 μC／cm2、44 μC／cm2、10.9 kV／mm，进一步分析表明，制备工艺对薄膜的析晶...
  • 20. GaAs多芯片多倍频程矢量调制器
    作者： 俞土法 刘琳 戴永胜 杨立杰 林金庭 陈堂胜 陈效建 陈继义
    刊名： 固体电子学研究与进展
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  239-240
    摘要：

固体电子学研究与进展基本信息

刊名 固体电子学研究与进展 主编 杨乃彬
曾用名
主办单位 南京电子器件研究所  主管单位 工业和信息化部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1000-3819 CN 32-1110/TN
邮编 210016 电子邮箱 gtdz@chinajournal.net.cn
电话 025-86858161 网址
地址 南京市1601信箱43分箱（南京市中山东路524号）

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