超高速单电源GaAs判决再生电路

• 作者: 夏冠群 孙晓玮 王永生 范恒 詹琰 赵建龙
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 光纤通信 单电源 砷化镓判决再生电路 金属-半导体势垒场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 133-138
• 页数: 6页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.02.003

摘要

设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源GaAs判决再生电路，采用非掺SI GaAs衬底直接离子注入、1μm耗尽型GaAs MESFET、平面电路工艺研制出单片GaAs判决再生电路。实验测试结果表明，该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决，并经时钟抽样后，输出正确的数字信号，传输速率可达2.8 Gbit／s，可用于覆盖2.5 Gbit／s系列光通信系统。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海冶金研究所	97	828	16.0	23.0
2	赵建龙	中国科学院上海冶金研究所	140	1166	18.0	26.0
3	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
4	詹琰	中国科学院上海冶金研究所	26	83	5.0	8.0
5	王永生	中国科学院上海冶金研究所	26	191	6.0	13.0
6	范恒	中国科学院上海冶金研究所	3	52	1.0	3.0