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摘要:
用紧束缚能带方法计算双势垒结构GaAs/Ga1-xAlxAs/GaAs和InAs/GaSb/AlSb的电子、空穴电流密度,对计算结果进行分析,并对其结果在工艺设计中的应用进行讨论。
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文献信息
篇名 共振隧穿二极管电流密度-电压曲线的计算与分析
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 双势垒结构 共振隧穿二极管 电流密度-电压曲线
年,卷(期) 2001,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 146-150
页数 5页 分类号 TN313.2
字数 2673字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 阮刚 复旦大学电子工程系 15 116 6.0 10.0
2 梁擎擎 复旦大学电子工程系 2 1 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
双势垒结构
共振隧穿二极管
电流密度-电压曲线
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
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