基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
研究了多束质子辐照对晶闸管开关特性和通态电压的影响,分析了退火机理,找出了最佳退火流程,获得了优良的通态电压与关断时间(VTM~Tq)的折衷关系.
推荐文章
Zr-Sn-Nb合金质子辐照效应研究
Zr-Sn-Nb合金
质子辐照
辐照效应
星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究
辐射效应
剂量率
退火效应
CMOS器件
基于PVDF薄膜辐照接枝制备质子交换膜
辐照
聚偏氟乙烯
辐照接枝
质子交换膜
透明陶瓷MgAl2O4辐照退火效应的正电子湮没谱研究
正电子湮没
透明陶瓷MgAl2O4
缺陷
退火
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 多束质子辐照晶闸管的退火研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 多束质子辐照 晶闸管 退火
年,卷(期) 2001,(11) 所属期刊栏目 支撑技术
研究方向 页码范围 71-73
页数 3页 分类号 TN342
字数 1726字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.11.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林理彬 四川大学物理系 90 605 13.0 20.0
2 邹睿 四川大学物理系 8 23 3.0 4.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2001(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
多束质子辐照
晶闸管
退火
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
论文1v1指导