一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计

• 作者: 危长明 王镇道 陈永洁 陈迪平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 噪声优化 射频集成电路 CMOS
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.01.020

摘要

对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6 μ m标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器.在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为1 50MHz,S11达到-38dB,消耗的电流为5mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈迪平	湖南大学应用物理系	56	273	9.0	13.0
2	王镇道	湖南大学应用物理系	40	173	8.0	11.0
3	危长明	湖南大学应用物理系	2	19	2.0	2.0
4	陈永洁	湖南大学应用物理系	1	5	1.0	1.0