CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制

• 作者: 刘玉岭 周建伟 李薇薇 王娟
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械全局平面化 颗粒 吸附 键合 表面活性剂
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 新工艺新技术
• 页码范围: 344-348
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2005.06.010

摘要

化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重.随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合.文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用.实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王娟	河北工业大学微电子研究所	40	220	8.0	12.0
3	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
4	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0