硅研磨片超声波清洗技术的研究

• 作者: 刘玉岭 常美茹
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 清洗 污染物 铁沾污 金刚砂及杂质 超声波清洗
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: SMT/PCB
• 页码范围: 215-217
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 2278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2006.04.008

摘要

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常美茹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	45	3.0	4.0
2	刘玉岭	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	51	3.0	7.0