基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT

• 作者: 刘新宇 刘训春 徐安怀 王润梅 苏树兵 齐鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MBE InGaAs基区 双异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1064-1067
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 2045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.023

摘要

报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	34	145	8.0	9.0
3	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	94	7.0	8.0
4	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
5	王润梅	中国科学院微电子研究所	15	78	6.0	8.0
6	苏树兵	中国科学院微电子研究所	6	59	5.0	6.0