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摘要:
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240 nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320 nm,410 nm,560 nm,630 nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心.
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文献信息
篇名 SiOx薄膜的制备及发光特性研究
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 SiOx薄膜 双离子束 溅射 光致发光
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 薄膜
研究方向 页码范围 47-49
页数 3页 分类号 TN304.055
字数 1260字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-0322.2007.04.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐小华 东华理工学院物理系 15 54 4.0 7.0
2 何娟美 东华理工学院物理系 6 40 2.0 6.0
3 吴雪梅 苏州大学物理科学与技术学院 72 331 9.0 13.0
4 符五久 东华理工学院物理系 12 35 3.0 5.0
5 李群 东华理工学院物理系 13 16 2.0 3.0
6 游泳 东华理工学院物理系 12 54 2.0 7.0
7 饶瑞昌 东华理工学院物理系 4 1 1.0 1.0
传播情况
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1992(2)
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研究主题发展历程
节点文献
SiOx薄膜
双离子束
溅射
光致发光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
出版文献量(篇)
2692
总下载数(次)
3
总被引数(次)
12898
论文1v1指导