SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化

• 作者: 何莉剑 张万荣 张蔚 谢红云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 线性 功率放大器 偏置电阻
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 1025-1027,1064
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 1535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.12.004

摘要

模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响.在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻.模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏置点不受影响,三阶交调信号幅度最小,功率增益平坦度得到改善,而且S参数也能满足功放的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电控学院	105	390	8.0	12.0
2	谢红云	北京工业大学电控学院	66	215	8.0	9.0
3	何莉剑	北京工业大学电控学院	5	27	3.0	5.0
4	张蔚	北京工业大学电控学院	10	65	4.0	8.0