铜互连线内电流拥挤效应的影响

• 作者: 任韬 徐洁晶 汪辉 翁妍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 电流拥挤 电迁移 质量输运 有限元分析
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 378-381
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.05.003

摘要

提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响.实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	任韬	上海交通大学微电子学院	1	4	1.0	1.0
3	翁妍	上海交通大学微电子学院	3	7	2.0	2.0
4	徐洁晶	上海交通大学微电子学院	4	11	2.0	3.0