SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

• 作者: 崔晓英 恩云飞 柏松 陈刚 黄云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅金属肖特基场效应晶体管 肖特基结 栅退化 稳定性
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进器件制备技术)
• 页码范围: 859-861,916
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2214字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.004

摘要

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料.研究了一种国产Sic MESFET 器件300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化.实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	19	61	5.0	7.0
2	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室	20	83	6.0	8.0