高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化

• 作者: 李文军 杨华岳 王俊 董业民 邵丽 邹欣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压器件 衬底电流 优化工艺
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 316-319
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 3004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.04.011

摘要

利用0.15 μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管.观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰.实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响.利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系.根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨华岳		6	25	3.0	5.0
2	李文军		2	7	1.0	2.0
3	董业民		1	6	1.0	1.0
4	邹欣		1	6	1.0	1.0
5	邵丽		1	6	1.0	1.0