应用一种新T形栅版图设计方法的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

• 作者: 张仁平 张杨 李晋闽 杨富华 王晓亮 罗卫军 陈志刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT T形栅 版图
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1654-1656
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.002

摘要

在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率品体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T形栅头部尺寸与栅长的比值)并优化T形栅的形状.所得的0.18μm栅长的器件,其特征频率(fT)为65GHz,T形栅的宽窄比为10.同时,测得的峰值跨导为287mS/mm,最大电流街度为980mA/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	38	212	9.0	12.0
2	李晋闽		75	652	13.0	23.0
3	张杨	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	43	179	7.0	12.0
4	陈志刚	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	19	858	12.0	19.0
5	罗卫军	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	17	35	4.0	5.0
6	杨富华	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	49	227	9.0	14.0
7	张仁平	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	2	13	1.0	2.0