用1/f噪声表征VDMOS器件的抗辐照性能

• 作者: 王党会 王党朝 许天旱 谢端
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纵向双扩散金属氧化物半导体 辐照 1/f噪声 γ值
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(半导体检测与测试技术)
• 页码范围: 571-574
• 页数: 4页
• 分类号: TP211.51
• 字数: 3597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.07.005

摘要

介绍了用于航空航天DC/DC转换器中的VDMOS器件和电离辐照前后低频1/f噪声的变化.研究了电离辐照情况下VDMOS器件的阈值电压漂移、跨导的退化对1/f噪声幅值、γ值的影响.结合实验,比较器件1/f噪声幅值和γ值在辐照前后的变化,对其抗辐照性能做表征研究.对VDMOS器件在辐照前后的变化做了分析,从γ值分形的角度简要说明辐照对器件产生的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许天旱	西安石油大学材料科学与工程学院	46	89	5.0	6.0
2	王党会	西安石油大学材料科学与工程学院	39	70	5.0	6.0
3	王党朝		13	23	2.0	4.0
4	谢端		8	11	2.0	3.0