CMP后清洗技术的研究进展

• 作者: 雷红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 原子级精度表面 清洗技术
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 369-373
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 5524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.001

摘要

化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低.介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素.综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷红	上海大学纳米科学与技术研究中心	22	456	10.0	21.0