真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命

• 作者: 庞丙远 张殿朝 索开南 闫萍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高阻硅单晶 微缺陷 少子寿命
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1003-1006
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 3290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.017

摘要

通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因.单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶体生长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶,而当晶体生长速度较高时,尽管可以消除漩涡,但单晶的少子寿命却有明显的下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	索开南	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	27	3.0	4.0
2	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
3	张殿朝	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	28	3.0	4.0
4	庞丙远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	7	1.0	1.0