氩离子轰击和溅射功率对Cu薄膜结构及性能的影响

• 作者: 吉锐 周序乐 唐振方 沈娇
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Gu薄膜 溅射功率 放电时间 择优取向 电阻率
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3536字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在PI柔性衬底上制备Cu膜.通过接触角测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等仪器研究了Ar+轰击时间和溅射功率对薄膜接触角、择优取向、晶粒大小及电阻率的影响.测试结果表明:随着Ar+轰击时间的延长,接触角减小,轰击时间为3 min时,接触角达到最小为45.0°,进一步延长Ar+轰击时间反而会导致接触角增大.Ar+轰击时间由1 min增加到3 min时,平均晶粒尺寸由16.6 nm增加到22.9 nm,电阻率从16.2 μΩ·cm降低到10.7 μΩ·cm.溅射功率从3250 W增加到7500 W时,(111)晶面择优取向增强,Cu膜平均晶粒尺寸由15.1nm增加到17.6nm,电阻率从11.6μΩ·cm降低到7.4μΩ·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉锐	暨南大学物理系	5	17	2.0	4.0
2	唐振方	暨南大学物理系	48	418	11.0	18.0
3	周序乐	暨南大学物理系	5	26	3.0	5.0
4	沈娇	暨南大学物理系	4	17	2.0	4.0