高压VDMOS用外延片的外延参数设计

• 作者: 张鹤鸣 袁肇耿 赵丽霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 过渡区 击穿电压 硅外延 外延层厚度 外延层电阻率 有效外延层厚度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 348-350
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.013

摘要

通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参数监控外延工艺,提高了片内及批次间的击穿电压一致性.特别通过对600 V的VDMOS外延参数及其器件结果分析得出,用此参数来调整中间和边缘厚度及不同外延设备之间的参数,使同种参数下有效外延层厚度保持相当,则可以大大减少离散性和设备间变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院	102	510	12.0	16.0
2	赵丽霞		14	36	4.0	5.0
4	袁肇耿		8	36	4.0	6.0