单壁碳纳米管阵列场效应特性的研究

• 作者: 吴英 周兆英 唐一科 杨兴 郑富中
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 单壁碳纳米管阵列 化学气相沉积 控制转移 场效应
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 601-605
• 分类号: TN32
• 字数: 3153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2010.04.027

摘要

单壁碳纳米管(Single-walled carbon nanotube,SWCNT)有许多异常的电特性,要完全实现其在实际电子系统中的潜在应用价值,需要在器件与电路的结合上有不断创新的方法.由于SWCNT在电子学上分为金属型和半导体型两大类,其中每一大类根据手性的不同在电特性上又各有差异,再加上要合成或合成后分离出单一手性的SWCNT,目前的技术还存在相当大的难度.结合化学气相沉积中的控制生长、控制转移排列整齐有序SWC-NT阵列与微加工工艺等方法,将SWCNT阵列作为一个器件单元来进行测试,测试结果显示了一定的场效应特性.