反应磁控溅射制备c轴择优取向氮化铝薄膜的研究进展

• 作者: 冯斌 周剑 王德苗 赵楷 金浩
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 反应溅射 (002)择优取向 工艺参数
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1-9
• 分类号: TB43
• 语种: 中文

摘要

AlN薄膜在力学、光学和电子学中有着广泛的应用,而反应磁控溅射技术由于沉积温度低,成本低,非常适合沉积应用于GHz通信系统中体声波(BAW)和表面声波(SAW)器件的(002)取向的AlN薄膜.本文先概述了反应溅射的两个模型,然后综述了工艺参数包括溅射气压、溅射功率、氮气浓度、衬底温度、衬底种类、靶基距、薄膜厚度、衬底偏压、退火处理等对AlN薄膜生长和性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王德苗	浙江大学信息与电子工程学系	66	789	15.0	24.0
2	金浩	浙江大学信息与电子工程学系	27	227	10.0	14.0
3	冯斌	浙江大学信息与电子工程学系	12	154	7.0	12.0
4	周剑	浙江大学信息与电子工程学系	4	40	3.0	4.0
5	赵楷		1	8	1.0	1.0