高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计

• 作者: 刘生有 杜占坤 郭桂良 阎跃鹏 马骁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 无片外电容 低压差稳压器 密勒补偿 高稳定性 片上系统(SoC)
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 538-541
• 分类号: TN432
• 字数: 1603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.010

摘要

设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO ),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中.针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所	101	427	9.0	13.0
2	郭桂良	中国科学院微电子研究所	37	106	6.0	7.0
3	杜占坤	中国科学院微电子研究所	23	76	5.0	6.0
4	马骁	中国科学院微电子研究所	9	17	3.0	4.0
5	刘生有	中国科学院微电子研究所	4	19	3.0	4.0