基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究

• 作者: 刘道广 巨峰峰 翁长羽 谭德喜 顾晓春
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: TEOS 淀积系统 VDMOS 栅源漏电
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 262-264
• 分类号: TN305
• 字数: 3513字
• 语种: 中文

摘要

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭德喜		1	1	1.0	1.0
2	巨峰峰		2	2	1.0	1.0
3	顾晓春		1	1	1.0	1.0
4	翁长羽		2	2	1.0	1.0