屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制

• 作者: 刘英坤 孙艳玲 李飞 胡顺欣 邓建国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 199-202
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.03.008

摘要

在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd.研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3A、阈值电压为3.0V、跨导为1.2S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72％以上,器件在175 MHz、12V的工作条件下,连续波输出功率为8.4W、漏极效率为70％、功率增益为10 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤		5	10	3.0	3.0
2	邓建国		3	7	2.0	2.0
3	李飞		1	0	0.0	0.0
4	胡顺欣		1	0	0.0	0.0
5	孙艳玲		1	0	0.0	0.0