ICP深硅刻蚀工艺研究

• 作者: 展明浩 王文靖 皇华 胡潇 许高斌 陈兴 黄晓莉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体刻蚀 深硅刻蚀 侧壁光滑陡直刻蚀 高深宽比刻蚀 工艺参数
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺设备
• 页码范围: 832-835
• 分类号: TN405.98
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2013.08.21

摘要

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一.利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数.