Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术

• 作者: 刘军林 江风益 熊传兵 王光绪 王立
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 薄膜芯片 Ag基反射镜 Si衬底
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 283-287
• 分类号: TN304|TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.04.009

摘要

Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触引入的电流分流效应.通过传输线的方法研究了Pt,Cr,Ni/Ag与p-GaN的接触行为(在不同的合金条件),讨论了Cr和Pt作为保护材料的可行性.结果发现,N2中500℃合金后,NiAg/p-GaN的比接触电阻率(ρc)达到最低,ρ.最低值为1.42×10-3 Ω·cm2;同条件下,80 nm Pt/p-GaN的ρc为6.63×10-3 Ω·cm2,30 nm Cr/p-GaN的ρc为2.03×10-2Ω· cm2,且其合金前的ρc为5.74×10-2 Ω·cm2,比合金后的ρ.更高.这说明,Cr是更为理想的Ni/Ag保护材料,若Ni/Ag合金后再蒸Cr,效果更佳.最后,通过芯片老化实验,验证了Cr是一种较为理想的、可靠的反射镜保护材料,采用其制备的薄膜型功率芯片具有很高的可靠性.