钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
文献导航
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
数据库索引
>
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
默认
篇关摘
篇名
关键词
摘要
全文
作者
作者单位
基金
分类号
搜索文章
搜索思路
钛学术文献服务平台
\
学术期刊
\
工业技术期刊
\
动力工程期刊
\
电子元件与材料期刊
\
柔性电子用NiW薄片上ZCO异质外延生长
柔性电子用NiW薄片上ZCO异质外延生长
作者:
赵静
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Zr掺杂氧化铈
薄膜
异质外延
柔性电子
溅射法
面内织构
摘要:
低成本柔性金属薄片上的异质外延氧化铈薄膜的潜在应用领域有固体燃料电池、气体传感器和光学器件等.利用直流反应磁控溅射法在双轴织构NiW合金衬底上进行Zr掺杂氧化铈薄膜的外延生长研究.结果表明,不同Zr掺杂量的薄膜可通过调制Zr靶上的溅射功率获取,所有样品均为c轴垂直于基片表面生长,显示出良好的外延特性.原子力显微镜分析结果表明,样品表面连续、致密、无裂纹.电子背散射衍射图谱显示Zr0.32Ce0.68O1.84膜具有良好的四重对称面内织构.
暂无资源
收藏
引用
分享
推荐文章
Ti/Fe(001)体系异质外延生长初期外延岛尺寸作用机制探究
嵌入原子方法
分子动力学
异质外延
电子束外延生长Er2O3单晶薄膜
分子束外延
Er2O3
介质膜
气压对 PLD 法在AlN/Si 上外延生长的GaN性能的影响?
气压
脉冲激光沉积
GaN
H2气氛对采用MOCVD 法在Si 衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响?
Si衬底
AlN薄膜
H2
MOCVD
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
柔性电子用NiW薄片上ZCO异质外延生长
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
Zr掺杂氧化铈
薄膜
异质外延
柔性电子
溅射法
面内织构
年,卷(期)
2014,(3)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
24-26
页数
3页
分类号
TN604
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2014.03.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
赵静
中国电子科技集团公司第十五研究所
6
0
0.0
0.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(11)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1987(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1993(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2008(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2009(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2013(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2014(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Zr掺杂氧化铈
薄膜
异质外延
柔性电子
溅射法
面内织构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
期刊文献
相关文献
1.
Ti/Fe(001)体系异质外延生长初期外延岛尺寸作用机制探究
2.
电子束外延生长Er2O3单晶薄膜
3.
气压对 PLD 法在AlN/Si 上外延生长的GaN性能的影响?
4.
H2气氛对采用MOCVD 法在Si 衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响?
5.
蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究
6.
硅基锗硅驰豫衬底的外延生长
7.
双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si的外延生长
8.
碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究
9.
厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长
10.
无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长
11.
铱衬底上异质外延单晶金刚石:过程与机理
12.
基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长
13.
Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除
14.
硅基片上异质外延SiC的机理研究
15.
利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征
推荐文献
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
根据相关规定,获取原文需跳转至原文服务方进行注册认证身份信息
完成下面三个步骤操作后即可获取文献,阅读后请
点击下方页面【继续获取】按钮
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
原文合作方
继续获取
获取文献流程
1.访问原文合作方请等待几秒系统会自动跳转至登录页,首次访问请先注册账号,填写基本信息后,点击【注册】
2.注册后进行实名认证,实名认证成功后点击【返回】
3.检查邮箱地址是否正确,若错误或未填写请填写正确邮箱地址,点击【确认支付】完成获取,文献将在1小时内发送至您的邮箱
*若已注册过原文合作方账号的用户,可跳过上述操作,直接登录后获取原文即可
点击
【获取原文】
按钮,跳转至合作网站。
首次获取需要在合作网站
进行注册。
注册并实名认证,认证后点击
【返回】按钮。
确认邮箱信息,点击
【确认支付】
, 订单将在一小时内发送至您的邮箱。
*
若已经注册过合作网站账号,请忽略第二、三步,直接登录即可。
期刊分类
期刊(年)
期刊(期)
期刊推荐
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
电子元件与材料2022
电子元件与材料2021
电子元件与材料2020
电子元件与材料2019
电子元件与材料2018
电子元件与材料2017
电子元件与材料2016
电子元件与材料2015
电子元件与材料2014
电子元件与材料2013
电子元件与材料2012
电子元件与材料2011
电子元件与材料2010
电子元件与材料2009
电子元件与材料2008
电子元件与材料2007
电子元件与材料2006
电子元件与材料2005
电子元件与材料2004
电子元件与材料2003
电子元件与材料2002
电子元件与材料2001
电子元件与材料2000
电子元件与材料1999
电子元件与材料2014年第9期
电子元件与材料2014年第8期
电子元件与材料2014年第7期
电子元件与材料2014年第6期
电子元件与材料2014年第5期
电子元件与材料2014年第4期
电子元件与材料2014年第3期
电子元件与材料2014年第2期
电子元件与材料2014年第12期
电子元件与材料2014年第11期
电子元件与材料2014年第10期
电子元件与材料2014年第1期
关于我们
用户协议
隐私政策
知识产权保护
期刊导航
免费查重
论文知识
钛学术官网
按字母查找期刊:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他
联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com
京ICP备2021016839号
营业执照
版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号